DDR4内存超频教程

Shawn Lee 收录于类别 PC

2021-09-08 2022-07-06 约 17006 字预计阅读 34 分钟次阅读条评论 CC BY-NC-SA 4.0

警告

本文最后更新于 2022-07-06，文中内容可能已过时。

来自 MemTestHelper 的 DDR4 详细超频教程,仅做翻译

准备

每次都需要烤机来确保超频稳定性。

内存测试软件

应进行烤机以确保超频是稳定的。

不推荐

不推荐使用 Aida64 内存测试和Memtest64，因为它们都不太适合测试内存的稳定性。

选择

GSAT。
1. 安装WSL和Ubuntu。
2. 打开一个 Ubuntu bash shell 。sudo apt update
3. 输入sudo apt-get install stressapptest
4. 开始测试,输入stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600
- -M是要测试的内存大小（MB）。
- -s是测试时间（秒）。
- --pause_delay是峰值功耗之间的延迟。它应该与-s参数相同以跳过峰值功耗测试。
Karhu RAM Test（付费）。
y-cruncher及这个配置。
- 将这个名为memtest.cfg粘贴在y-cruncher.exe所在文件夹
- 创建一个快捷方式到y-cruncher.exe并添加pause:1 config memtest.cfg到目标字段。您的目标字段应该像这样"path\to\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg
- 感谢：u/Nerdsinc
Prime95 Large FFTs 在查找内存错误方面也不错。
- 我一直在使用 800k - 800k 的自定义 FFT 范围，尽管我认为在 Large FFT 范围内的任何 FFT 值都应该有效。
  - 确保未选中"Run FFTs in place"。
  - 在prime.txt，在TortureWeak下添加TortureAlternateInPlace=0，以防止 P95 testing in place。testing in place 将只使用少量内存，这不是我们想要的。
- 您可以创建一个立即使用prime.txt中配置进行测试的快捷方式给prime95.exe，添加-t到"Properties > Target"字段。你的目标字段应该像是："path\to\prime95\prime95.exe" -t
- 您还可以更改 Prime95 的配置文件目录，这样就可以用一个配置测试 CPU ，另一个配置来测试 RAM。
  1. 在prime95.exe文件夹中，创建另一个文件夹。对于此示例，它将被称为"RAM"（没有引号）。
  2. 复制prime.txt和local.txt到您刚刚创建的文件夹。
  3. 根据需要调整prime.txt中的配置。
  4. 创建另一个快捷方式，在目标字段添加-t -W<folder_name>。你的目标字段应该像："path\to\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
  5. 现在，您可以立即以配置好的状态启动 Prime95 。
randomx-stress- 可用于测试 FCLK 稳定性。

比较

Karhu RAMTest，TM5(extreme config) 和 GSAT 之间的比较。

TM5 是速度最快、压力最大的，尽管我曾有过 TM5 烤机 30 分钟良好但 10 分钟内在 Karhu 内报错的情况。另一个用户也有类似的经历，因人而异。

时序软件

在 Windows 中查看时序：
- Intel：
  - X99：Asrock Timing Configurator v3.0.6
  - Z370(?)/Z390：Asrock Timing Configurator v4.0.4 （并不限于华擎主板）
  - EVGA 主板和 Z170/Z270(?)/Z490：Asrock Timing Configurator v4.0.3
  - 对于 Rocket Lake：ASRock Timing Configurator v4.0.10
  - 对于 Alder Lake：ASRock Timing Configuator v4.0.13 或 MSI Dragon Ball
- AMD：
  - ZenTimings。

基准测试

AIDA64 - 免费30天试用。我们将使用缓存和内存基准测试（在工具下找到）以检验效能提升，右键单击“开始基准测试”按钮，然后仅运行内存测试以跳过缓存测试。
Intel Memory Latency Checker- 包含许多用于检测内存性能的测试。比AIDA64更广泛的数据以及带宽数在测试之间有所不同。请注意，它必须以管理员运行才能禁用 CPU 预加载。在 AMD 平台上，您可能需要在 BOIS 中禁用它。
Intel MLC GUI - Faris 为 Intel Memory Latency Checker 开发的 GUI。
xmrig对内存非常敏感，因此对测试特定时序的影响非常有用。首先以管理员身份运行--bench=1M作为命令行参数以启动基准测试，然后使用基准测试时长进行比较。
MaxxMEM2 - AIDA64的免费替代品，但是带宽测试似乎要低得多，因此不能直接与AIDA64相提并论。
Super Pi Mod v1.5 XS - 另一个对内存敏感的基准，但是我没有像 AIDA64 那样频繁的用它。1M-8M 足以满足快速基准测试的需要。您只需要查看最后（总计）时间，越短越好。
HWBOT x265 Benchmark- 我听说该基准测试也对内存敏感，但并未对其进行测试。
PYPrime 2.x - 这个测试是快速的，并且在 CPU 核心时钟、cache/FCLK、内存频率和时序方面有很好的扩展性。

通用内存信息

频率和时序的关系

内存频率以兆赫（MHz）或每秒百万个周期为单位。更高的频率意味着每秒周期更多，性能更好。
小贴士：人们通常称 DDR4-3200 为 3200MHz，但在现实中，RAM的实际频率只有1600MHz。当数据在 DDR（双倍速率）内存的 rising clock edge 和 falling clock edge 中同时传输时，RAM 的实际频率是每秒传输次数的一半。DDR4-3200 每秒传输 32 亿比特数据，3200MT/s（兆传输/秒）以 1600MHz 的频率运行。
内存时序以时钟周期或等待时间限制来测量。较低的时序意味着执行操作的周期越短，性能越好。
- 例外情况是 tREFI ，即刷新间隔。顾名思义，tREFI 是刷新之间的时间。当内存刷新时它什么都做不了，因此您希望尽可能不去频繁地刷新。要做到这点，您希望刷新之间的时间尽可能长。也就是 tREFI 尽可能高。
虽然时序越低越好，但这也取决于内存运行频率。例如，尽管 DDR4-3000 CL15 相比 DDR4-3200 CL16 以较低的 CL 运行，但二者具有相同的延迟。这是因为较高的频率抵消了 CL 的增加。
计算给定时序下的实际时间单位纳秒（ns）：2000 * timing / ddr_freq
- 例如，DDR4-3000 CL15 的延迟是2000 * 15 / 3000 = 10ns
- 同样，DDR4-3200 CL16 的延迟是2000 * 16 / 3200 = 10ns

第一、第二和第三时序

Intel
AMD
内存时序分为 3 类：第一、第二和第三时序。这些分别由"P"、“S"和"T"表示。
- 第一和第二时序影响延迟和带宽。
- 第三时序影响带宽。
  - 同时影响延迟和带宽的 tREFI/tREF 是个例外，尽管它在 AMD 上无法修改。

期望/限制

此部分介绍 3 个组件，可能会影响您的超频体验：颗粒、主板和 IMC。

主板

只有 2 个 DIMM 插槽的主板将能够实现最高频率。
对于具有 4 个 DIMM 插槽的主板，安装内存的数量会影响你的最大内存频率。
- 在使用菊花链式内存走线布局的主板上，首选 2 条内存。使用 4 条内存可能会严重影响您的最大内存频率。
- 另一方面，使用 T 型拓扑的主板使用4根内存最好超频。但使用2条内存不会像在菊花链主板上使用4条内存那样影响您的最大内存频率。（？）。
- 大多数供应商不会公布他们使用的内存走线布局，但您可以根据 QVL 进行有根据的猜测。例如，Z390 Aorus Master 使用 T 型拓扑布局，因为它的最高经验证频率是 4 个 DIMMs 的。相对应的，如果用 2 个 DIMM 完成了最高的经验证频率，则它可能使用菊花链布局。
- 根据 Buildzoid 的说法，菊花链 VS T拓扑仅在4000MHz以上才会体现出区别和重要性。如果您在 Ryzen 3000 或 5000 系上，这并不重要，因为 DDR4-3800 是运行 MCLK：FCLK 1：1 时的典型最大内存频率。 {% note warning %} 5000 系 FCLK 体质明显好于 3000 系，如果你的 FCLK 可以拉到 2000 则甜点频率为 4000mHz，以此类推 {% endnote %}
低端主板可能超频效果并不理想，这可能是由于较低的 PCB 质量和层数所致。（？）。

颗粒

了解在你的内存中是哪种颗粒（有时称为 “dies”）会让你对超频有初步的预期。当然即使你不了解它们你依旧可以超频

指代符号

为了更便捷的区分这些颗粒，文中会用到一些指代符号

X 是制造商的第一个字母（S 代表三星，H 代表海力士，M 代表美光，N 代表南亚，等等）。
Y 是容量（8代表8Gb，16代表16Gb）。
Z 是颗粒的版本。

打个比方，三星 8 Gb B-die 就是 S8B。

Thaiphoon 报告

注意：众所周知，Thaiphoon 会猜测颗粒，所以不应该完全信任它。如果可能的话，我们强烈建议检查芯片上的标签。有关更多信息
- 请参阅此处。
单 rank 8 Gb 海力士 CJR (H8C).

单 rank 8 Gb 美光 Revision E (M8E) (来源: Coleh#4297).
- SpecTek颗粒是低装箱的密克罗尼微 IC。
- 小贴士：许多人已经开始称这种为美光 E-die 或者 E-die 。前者尚可，但后者可能会引起混淆，因为字母命名的方式通常用于三星颗粒，例如三星 4 Gb E-die。当你说E-die时，就暗示了三星，但由于人们称美光 Rev.E 为 E-die，所以在前面加上制造商前缀可能会更好。

双 rank 三星 8 Gb B-die (S8B).

内存上的标签

有时，Thaiphoon 不会显示颗粒，或者会错误地识别颗粒。要确认这一点，您可以检查内存上的标签。目前，只有海盗船、芝奇和金士顿有识别颗粒的标签。

参见HardwareLuxx，这是一张总结了以下信息的整洁的信息图。

海盗船编号

海盗船的标签上有一个 3 位数的版本号，显示了内存上有哪些颗粒。
第一个数字是制造商。
- 3 = 美光
- 4 = 三星
- 5 = 海力士
- 8 = 南亚
第二个数字是容量。
- 1 = 2Gb
- 2 = 4Gb
- 3 = 8Gb
- 4 = 16Gb
最后一个数字是修订版。
有关完整列表，请参阅r/overclocking wiki。

芝奇 042 编号

与海盗船类似，芝奇使用 042 编号来表示颗粒。
示例： 04213X8810B
- 第一个加粗的字符是容量。4 表示 4Gb，8 表示 8Gb，S 表示 16Gb。
- 第二个粗体数字是制造商。1 为三星，2 为海力士，3 为美光，4 为力晶，5 为南亚， 9 为晋华。
- 最后一个字符是修订版。
- 这是三星 8Gb B-die 的代码。
有关完整列表，请参阅r/overclocking wiki。

金士顿编号

示例：DPMM16A1823
- 加粗字母表示制造商。H 表示海力士，M 表示美光，S 表示三星。
- 接下来的 2 位数字表示单双 rank 。08 = 单 rank 而 16 = 双 rank。
- 下一个字母表示生产月份。1-9， A，B，C.
- 接下来的 2 位数字表示生产年份。
- 这是 2018 年 10 月生产的双 rank Micron 的代码。
来源

关于颗粒和内存容量的注意事项

通常，单 rank 内存的频率要比双 rank 内存的频率高，但根据测试，从 rank interleaving 中得到的性能¹足以使其超越单 rank 内存。这在合成和游戏中都可以看到。
- 在最近的平台中（Comet Lake 和 Zen3），BIOS 和内存控制器对双 rank 内存的支持已大大改善。在许多 Z490 板上，双 rank 三星 8Gb B-die -（2x16GB）的频率能超到和单面 B-die 一样高，这意味着您拥有 rank interleaving 带来的所有性能收益，却几乎没有负面影响。
- ¹rank interleaving 允许内存控制器将内存请求并行化，例如在一个 rank 写入的同时另一个 rank 正在刷新。这方面的影响很容易在 AIDA64 copy bandwidth中观察到。从内存控制器的角度来看，第二个 rank 是在同一个 DIMM（一个 DIMM 上的两个等级）还是不同的 DIMM（一个通道上的两个DIMM）并不重要。然而，从超频的角度来看，当你考虑内存走线布局和 BIOS 支持时，它确实很重要。
- 拥有同颗粒第二 rank 也意味着有两倍的 bank groups 可用。这意味着短时序——如 RRD_S 而不是RRD_L——可以更经常地被使用，因为更可能有一个新的 bank group 可用。当连续两次在同一 bank groups 上操作时，需要使用拉高时序（L），而当有 7 个其他 bank groups 而不是 3 个时，你有更多的选择来避免这样做。
- 这也意味着有两倍的 bank，因此在任何时候都有两倍的内存 rows 可以被打开。因此，你需要的 row 更有可能被打开。你不必像以前那样经常关闭 A row，打开 B row，然后关闭 B row，再打开 A row。你被 RAS/RC/RCD（在等待某 row 打开时，因为它被关闭了）和RP（在等待某 row 关闭以打开另一 row 时）等操作耽搁的次数减少了。
- x16 配置的 banks 和 bank groups 的数量将是传统 x8 配置的一半，这意味着性能降低。更多信息见buildzoid’s video。
内存容量在确定颗粒超频潜力时很重要。例如，尽管是 AFR，但 4Gb AFR 和 8Gb AFR 超频结果不会相同。对于同时存在 8Gb 和 16Gb 两种容量的 Micron Rev.B 也是如此。16Gb 颗粒的超频潜力更好，尽管 DIMMs 使用 8 个芯片，但 16Gb 和 8GB 容量都有售。8GB 内存经过 SPD 修改，可在高端 Crucial 套件中找到（BLM2K8G51C19U4B）。
随着系统中内存 ranks 总数的增加，内存控制器上的负载也增加。这通常意味着更多 ranks 的内存将需要更高的电压，尤其是 Intel 上的 VCCSA 和 AMD 上的 SOC 电压。

电压缩放

电压缩放仅表示颗粒如何响应电压。
在许多颗粒上，tCL 随电压变化，这意味着更高的电压可使你降低 tCL。相反，tRCD 和/或 tRP 通常不会在许多颗粒上与电压成比例变化，这意味着无论您给多少电压，它都不会发生变化。据我所知 tCL，tRCD，tRP，或许包括 tRFC 可以（或不能）表现电压缩放。
同样，如果时序随电压缩放，则意味着你可以增加电压使内存在相同的时序下运行更高的频率。
- 可以看到，直到 DDR4-2533，TCL 随着 H8C 上的电压几乎呈线性关系。
- tCL 在 S8B 是完美的线性关系。
- tCL 在 M8E 上也有完美的线性关系。
- 我已经把这些数据编成计算器了。将滑块 f 和 v 更改为您想要的频率和电压，它将显示给定 CL 下可实现的频率和电压（假设 CL 线性关系高达 1.50v）。例如，DDR4-3200 CL14 1.35V 应能够达到 DDR4-3333 CL14 1.40V， DDR4-3533 CL14 1.45V 和 DDR4-3733 CL14 1.50V.
B-die tRFC 电压缩放
- 在这里你可以看到 tRFC 在 B-die 上相当不错的缩放。
一些较旧的 Micron 颗粒（在 M8E 之前）随电压呈反比变化。也就是说，仅仅通过增加电压，它们在相同的频率和时序下就会变得不稳定。(通常高于1.35V)
以下是我测试过的颗粒表，以及时序是否随电压而变化：

颗粒 tCL tRCD tRP tRFC

S8B Y Y Y Y

H8C, H8D Y N N Y

H8A Y N N ?

M8B, M8E, M16B, N8B, S4E, S8D Y N N N
- 不随电压变化的时序通常需要随着频率的增加而增加。

颗粒	tCL	tRCD	tRP	tRFC
S8B	Y	Y	Y	Y
H8C, H8D	Y	N	N	Y
H8A	Y	N	N	?
M8B, M8E, M16B, N8B, S4E, S8D	Y	N	N	N

最大预期频率

以下是一些常见颗粒的最大预期频率：

颗粒 Expected Max Effective Speed (MT/s)

H8D, M8E, M16B, S8B, S8D 5000+

N8B, S4E 4000+

H8C 4133¹

H8A, M8B 3600
- ¹在我的测试中，H8C 有点不稳定。我测试了3根 RipJaws V 3600 CL19 8 GB的内存。一根卡在 DDR4-3600，另一根卡在 DDR4-3800，但最后一根可以做到 DDR4-4000，都是 1.45V CL16。
- 不要指望较低体质的颗粒会比较高体质的颗粒更能超。对于B-die来说尤其如此。
- 这些值仅指颗粒的平均能力，但其他因素（如主板和 CPU）对上述值可能产生重大影响。

颗粒	Expected Max Effective Speed (MT/s)
H8D, M8E, M16B, S8B, S8D	5000+
N8B, S4E	4000+
H8C	4133¹
H8A, M8B	3600

体质

体质基本上是根据元件的性能特点进行分级。制造商会根据颗粒的频率将其分到不同的产品中。因此称为特挑。
芝奇是一家以体质而闻名的制造商。很多时候，几种不同的产品实际源于同一体质颗粒（即 DDR4-3600 16-16-16-36 1.35 V 的 B-Die 与 DDR4-3200 14-14-14-34 1.35 V 的 B-Die 体质相同）。
B-die 颗粒中，体质为 2400 15-15-15 的颗粒明显比 3200 14-14-14 甚至3000 14-14-14 的差。不要指望它具有与良好体质的 B-die 相同的电压缩放特性。
要想知道在同一电压下，相同颗粒中哪个体质更好，需要找出不随电压缩放的时序。简单地用频率除以时序，数值越大，体质越好。
- 例如，海盗船 Ballistix 3000 15-16-16 和3200 16-18-18 都使用 Micron Rev.E 颗粒。简单地将频率除以 tCL 可得到相同的值（200），这是否意味着它们是同一体质？
  
  不是的
  
  tRCD 不会与电压一起缩放，这意味着它需要随着频率的增加而增加。 3000 / 16 = 187.5 但 3200 / 18 = 177.78。如您所见，DDR4-3000 15-16-16 比 DDR4-3200 16-18-18 更极限。这意味着，标称 DDR4-3000 15-16-16 的体质可能很容易伤到 DDR4-3200 16-18-18，但标称 DDR4-3200 16-18-18 的套件可能很难达到 DDR4-3000 15-16-16。频率和时序差异非常小，因此它们的超频结果可能会非常相似。

颗粒	日常电压 (V)	极限电压 (V)
H8D, H16A, M8E, M16B, S4D, S4E, S8B	Up to 1.55	Above 1.55
H4A, H8A, H8C¹ , H16C, N8B	Up to 1.45	Above 1.45
S8C	Up to 1.35	N/A²

排名

以下是大多数常见的颗粒在频率和时序方面的排名。

等级	颗粒	Description
S	S8B	最佳 DDR4 颗粒，全面优秀
A	H8D, M8E¹, M16B	性能表现最好的颗粒。已知无频率墙，通常随电压缩放
B	H8C, N8B, S4E	具有高频和低时序的高端颗粒
C	H8J, H16M, H16C, M16E, S8D	不错的频率并且有一些超频潜力颗粒
D	H8A, M8B, S8C, S4D	常见于普通廉价套件中的低端颗粒。大多数是 EOL，不再生产
F	H8M, M4A, S4S, N8C	垃圾的颗粒甚至不能符合 JEDEC 标定的最高标准

部分基于Buildzoid’s older ranking。由于发布的年限，某些颗粒未包含在此列表中。
¹新版 M8E 的提升主要是在保持稳定的前提下不修改 VTT 提升频率并压低 tRCD 。一般来说，新版的 M8E (C9BKV, C9BLL, etc.) 会有更低的 tRCD 及更高的频率且无需修改 VTT。

温度及其对稳定性的影响

一般来说，您的内存越热，在高频/低时序下稳定性就越低。
tRFC 对温度非常敏感，因为它们与电容漏电有关，而电容漏电会受到温度的影响。更高的温度需要更高的 tRFC 值。tRFC2 和 tRFC4 是 DRAM 工作温度达到 85°C 时激活的时序。在这温度下，这些时序没有任何用处。
B-Die 对温度敏感，其理想范围为 ~30-40°C。有些可能能够承受更高的温度，所以自己看着来。
另一方面，Rev. E 似乎不是对温度那么敏感，由builzdoid提出。
您可能会发现，电脑在内存烤机时很稳定，但在游戏时会崩溃。这是因为在这种情况下，您的 CPU 和/或 GPU 产生热量，在这个过程中提高了内存温度。因此，可以在运行内存测试的同时对你的 GPU 进行压力测试，以模拟游戏时的稳定性。

集成内存控制器（IMC）

Intel IMC

牙膏厂的 Skylake IMC 相当牛批，所以超频时不会成为瓶颈。 14+++++ 你还指望什么呢？
除了有关 Gear 1 和 Gear 2 内存支持的限制外，Rocket Lake IMC 拥有在所有英特尔消费级 CPU 中最强大的内存控制器，而且有相当大的优势。
Gear 1 是首选，因为内存控制器的时钟与 DRAM 的时钟速度是同步的，脱同步会产生延迟增加。
在非 K Alder Lake 上，非 K 后缀 CPU 锁定了 VCCSA，可能无法在 Gear 1 运行更高频率。Gear 1 下的预期频率为 3200 - 3466 。
如果超频，你需要修改两个电压参数：系统代理（VCCSA）和 IO（VCCIO）。不要让这些电压处于自动状态，因为它们会将你的 IMC 电压拉到危险的水平，可能会使它性能下降甚至损坏。大多数时候，你可以保持 VCCSA 和 VCCIO 相同，但有时太高可能会损害稳定性（来源：Silent_Scone）。

以下是我建议的 2 个 rank DIMMs 的 VCCSA 和 VCCIO：

有效速度（MT/s） VCCSA/VCCIO （V）

3000 - 3600 1.15 - 1.20

3600 - 4000 1.20 - 1.25

4000 - 4200 1.25 - 1.30

4200 - 4400 1.30 - 1.35
- VCCIO 一般应比 VCCSA 低50 mV，运行 1.4 V VCCSA + 1.35 V VCCIO 是可接受的上限。
- 由于 ADL 相对较新，其安全电压尚不清楚。1.25-1.35 VCCSA 已被证明会出现相当大的劣化。
- 随着更多的 DIMMs 和/或双 rank DIMMs，你可能需要比建议的更高的 VCCSA 和 VCCIO 。
从 Skylake 到 Rocket Lake（包含）CPU上，tRCD 和 tRP 是关联在一起的，这意味着如果你设置 tRCD 为 16，但 tRP 为 17，两者都将以较高的时序（17）运行。这种限制是许多颗粒在英特尔上表现不佳的原因，也是 B-die 与英特尔很匹配的原因。
- 在华擎和 EVGA 的 BIOS 上，它们被合并成 tRCDtRP 。在华硕 BIOS 上，tRP 是不可见的。在微星和技不如人的 BIOS 上，tRCD 和 tRP 是可见的，但是将它们设置为不同的值仅较高的值生效。
在 Alder Lake CPU上，只要你不使用技不如人的主板，tRD 和 tRP 就不再关联。
预期内存延迟范围：40ns - 50ns。
- 三星 B-Die 的预期内存延迟范围：35ns - 45ns。
- 总体而言，延迟的大小与 die 的大小有关。因此，9900K 的延迟将略低于同一设置的 10700K，因为 10700K 的 dies 与 10900K 的相同。
- 延迟受 RTL 和 IOL 的影响。一般来说，高质量的主板和针对超频优化的主板内存走线会更直，并可能具有较低的 RTLs 和 IOLs。在某些主板上，更改 RTL 和 IOLs 没有效果。

有效速度（MT/s）	VCCSA/VCCIO （V）
3000 - 3600	1.15 - 1.20
3600 - 4000	1.20 - 1.25
4000 - 4200	1.25 - 1.30
4200 - 4400	1.30 - 1.35

AMD IMC

一些名词：

MCLK：真正的内存频率（RAM 有效速度的一半）。例如，对于 DDR4-3200，MCLK 为 1600MHz。
FCLK：总线频率。
UCLK：统一内存控制器频率。当 MCLK 和 FCLK 不相等时， MCLK 的值减半（脱同步， 2：1 模式）。
在 Zen 和 Zen+ 上，MCLK = FCLK = UCLK。但是，在 Zen2 和 Zen3 上，您可以指定 FCLK。如果 MCLK 是 1600MHz （DDR4-3200），并且将 FCLK 设置为 1600MHz，则 UCLK 也将为 1600MHz，除非您将 MCLK：UCLK 比率设置为 2：1（也称为 UCLK DIV 模式）。但是，如果将 FCLK 设置为 1600MHz，UCLK 将运行在 800MHz（脱同步）。
Ryzen 1000 和 2000 的 IMC 在超频时可能很棘手，不能像英特尔那样能上高频率。另一方面，Ryzen 3000和5000的 IMC 要好得多，或多或少与英特尔较新的基于 Skylake 的 CPU，即第 9 代和第 10 代相当。
SOC 电压是 IMC 的电压，与 Intel 一样，不建议将其留在 Auto 上。此值范围的典型范围约为 1.00V 和 1.10V。较高的值通常是可以接受的，并且对于稳定较高容量的内存可能是必要的，还可能有助于实现 FCLK 的稳定性。
相比之下，当 SOC 电压过高时，会出现内存不稳定。在大多数 Ryzen CPU 上，这种负缩放通常发生在 1.15V 和 1.25V 之间。

内存控制器在不同 CPU 上的表现存在明显差异。大多数 CPU 在 1.050V SoC 电压下会达到 DDR4-3466 或更高，但区别在于不同的样本对电压的反应。有些样本的频率似乎随着 SoC 电压的增加而提高，而另一些样本则完全没有变化，甚至在某些情况下甚至会负增长。所有测试的样本在使用高于 1.150V SoC 时都产生负增长（即更多错误或烤机错误）。在所有情况下，最大内存频率均在 =< 1.100V SoC 电压下实现的。
The Stilt
在 Ryzen 3000 上，还有 CLDO_VDDG（通常缩写为 VDDG，不要与CLDO_VDDP混淆），即总线电压。SOC 电压应至少值 CLDO_VDDG 高40mV，因为 CLDO_VDDG 源自 SOC 电压。

大多数 CLDO 电压是由 CPU 的两个主电源轨调节的。如果是 CLDO_VDDG 和 CLDO_VDDP ，它们是由 VDDCR_SoC 平面调节的。
正因这样，有几条准则。例如，如果您将 VDDG 设置为 1.100V，而负载下的实际 SoC 电压为 1.05V，则 VDDG 将大概保持在最大 1.01V 。
同样，如果您将 VDDG 设置为 1.100V 并开始增加 SoC 电压，则您的 VDDG 也会提高。
我没有确切的数字，但你可以假设最低降压（Vin-Vout）在40mV左右。
这意味着你的实际 SoC 电压必须至少比要求的 VDDG 高这么多，才能按要求生效。

单独调整 SoC 电压，与以前的一代不同，如果有的话，作用不大。
默认值是固定的 1.100V，AMD 建议将其保持在该水平。增加 VDDG 在某些情况下有助于总线超频，但并非总是如此。
在默认的 0.950V 下，应该可以做到 1800MHz 的 FCLK，如果要挑战极限，将其提高到=<1.05V（1.100 - 1.125V SoC，取决于负载线）可能是有益的。
~ The Stilt
- 在 AGESA 1.0.0.4 或更新的版本, VDDG 分成了 VDDG IOD 和 VDDG CCD，用于 I/O die 和芯片部件。
以下是 2 根单 rank DIMM 的预期内存频率范围，前提是您的主板和颗粒达标:

Ryzen 预期有效速度（MT/s）

1000 3000 - 3600

2000 3400 - 3800¹

3000 3600 - 3800 (1:1 MCLK:FCLK)
3800+ (2:1 MCLK:FCLK)
- 如果使用更多的 DIMM 和/或双面 DIMM ，则预期频率可能会更低。
- ¹3600+ 通常在1个 DIMM 每通道（DPC）/ 仅有2个 DIMM 插槽的主板并且 IMC 体质非常好时才能达成。
  - 请参阅此处。
- ¹DDR4-3400 - DDR4-3533 是多数表现（如果不是全部的话）Ryzen 2000 IMC 应该能够达到的。
  
  在测试的样品中，可达到的最大内存频率分布如下： DDR4-3400 = 12.5% 的样本 DDR4-3466 = 25.0% 的样本 DDR4-3533 = 62.5% 的样本 ~ The Stilt
- 2个 CCD Ryzen 3000 CPU （3900X 和 3950X）似乎更适合 4 根单面内存而不是 2 根双面内存。
  
  对于 2 个 CCD SKUs，2 DPC SR 的配置似乎是正确的方向。 3600 和 3700X 在1个 DPC DR 配置上都做到了 1800MHz 的 UCLK，但很可能由于 3900X 的两个 CCD 的差异，它在这些 DIMM 上几乎没有做到 1733MHz。
  同时，在 2 DPC SR 配置下，达到 1866 MHz FCLK/UCLK 没有问题。 ~ The Stilt
tRCD 被分为 tRCDRD (read) 和 tRCDWR (write)。通常，tRCDWR 可以低于 tRCDRD，但我没有发现降低 tRCDWR 会带来任何性能提升。最好保持二者一致。
Geardown模式（GDM）在 DDR4-2666 以上自动启用，强制偶数tCL、tCWL、tRTP、tWR 和CR 1T。如果你想运行奇数的 TCL，请禁用 GDM。如果不稳定，可以尝试运行 CR 2T，但这可能会抵消掉 TCL 的性能增益，甚至可能比启用 GDM 更不稳定。
- 例如，如果您尝试在启用 GDM 的情况下运行 DDR4-3000 CL15，则 CL 将被提升至 16。
- 在性能方面：禁用GDM CR 1T > 启用 GDM CR 1T > 禁用 GDM CR 2T。 {% note warning %} 勘误:实际 GDM 开启≈2.5T, 实测效能 GDM disabled CR 1T> GDM disabled CR 2T> GDM enabled CR 1T。GDM disabled CR 2T 相比 GDMenabled CR 1T 需要的电压更高, 需要的时序更宽松。这个我实测过, 你也可以多测几次观察一下。而且 GDM 开启之后有一大弊端, 只能使用偶数 tCL,无法开启奇数 tCL, 比如你设 15 或者 17,实际跑的却是 16 或者18。所以无论如何GDM能关则关，哪怕用GDM Disable 2T也比开GDM强，实在稳不了再开。来源 {% endnote %}
在单 CCD Ryzen 3000 CPU（CPU 低于 3900X）上，写入带宽减半。

在内存带宽上，我们看到了 3700X 的写入速度有些奇怪，这是因为 CDD 到 IOD 的连接，在 3700X 上的写入速度为 16B/周期，但在 3900X 上是其两倍。AMD表示，这可以让他们节省功耗，这是 AMD 所追求的较低 TDP 的一部分。AMD 表示应用程序很少做纯写操作，但在下一页我们的基准测试之一中确实降低了 3700X 的性能。
TweakTown
预期内存延迟范围：

Ryzen 延迟（ns）

1000 65 - 75

2000 60 - 70

3000 65 - 75 (1:1 MCLK:FCLK)
75+ (2:1 MCLK:FCLK)
在 Ryzen 3000 和 5000 上，足够高的 FCLK 可以克服 MCLK 和 FCLK 脱同步的带来的损耗，前提是您可以将 UCLK 锁定到 MCLK。
- （感谢：Buildzoid)

Ryzen	预期有效速度（MT/s）
1000	3000 - 3600
2000	3400 - 3800¹
3000	3600 - 3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

Ryzen	延迟（ns）
1000	65 - 75
2000	60 - 70
3000	65 - 75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

超频

免责声明：体质等不确定因素会影响您的超频潜力，因此可能与我的建议有些偏差。
警告：超频内存时是可能发生数据损坏的。建议经常运行sfc /scannow，以确保任何损坏的系统文件被修复。
超锁过程非常简单，可以归结为 3 个步骤：
- 设置非常松散（高）的时序。
- 增加 DRAM 频率，直到不稳定。
- 收紧（降低）时序。

查找最大频率

- 确保你的内存条在推荐的 DIMM 插槽中（通常是 2 和 4 ）。
- 确保在调整内存时禁用 CPU 超频，因为不稳定的 CPU 会导致内存错误。同样，当用低时序推高频率时，你的 CPU 可能会变得不稳定，可能需要重新进行调整。
- 确保你的UEFI/BIOS是最新的
在 Intel 上，从 1.15V VCCSA 和 VCCIO 开始。
在 AMD 上，从 1.10 V SOC、0.95 VDDP、0.95 VDDG CCD 和 1.05 VDDG IOD 开始。
- 根据制造商的不同，SOC 电压的命名可能不同。
  - 华擎：CPU VDDCR_SOC 电压。如果您找不到，您可以使用隐藏在 AMD CBS 菜单中的 SOC Overclock VID 。
    - VID values。
  - 华硕：VDDCR SOC。
  - 技不如人：（Dynamic¹） Vcore SOC。
    - ¹请注意，dynamic Vcore SOC 是偏移电压。因此，当增加 DRAM 的频率时，基准电压可以自动改变。例如，DDR4-3000 的 +0.100V 可能导致 1.10V 的实际电压，但 DDR4-3400 的 +0.100V 可能导致 1.20V 的实际电压。
  - 微星：CPU NB/SOC。
将 DRAM 电压设置为 1.40V。如果您使用的颗粒在 1.35V 以上 Roll over ，请设置 1.35V。
- “Roll over"意味着当你增加电压时颗粒变得更加不稳定，有时甚至达不到标称数据。
- 已知在 1.35V 以上 roll over 的颗粒包括但不限于：8Gb Samsung C-die, older Micron/SpecTek颗粒(before 8Gb Rev.E)。
- 要想知道你的IC应该使用什么电压，请参考推荐日常最高电压。
将主要时序设置为 16-20-20-40 （tCL-tRCD-tRP-tRAS）及 tCWL 至 16。
- 大多数颗粒需要松散的 tRCD 和/或 tRP，这就是为什么我推荐 20 。
- 有关这些时序的更多信息，请参阅此帖子。
增大 DRAM 频率，直到它不再引导 Windows 。请记住上面达到的最大频率。
- 如果您在 Intel ，了解您是否不稳定的快速方法是检查 RTLs 和 IOLs。每组 RTLs 和 IOLs 对应于一个通道。在每个组中，有 2 个值对应于每个 DIMM. Asrock Timing Configurator:
当在通道 A 插槽 2 和通道 B 插槽 2 中安装了内存时，需要查看每组 RTL 和 IOL 中的 D1。
RTL 应相隔不超过 2，IWL 应相隔不超过 1。
在我的情况下，RTL 分别为 53 和 55 ，相距 2 个，而 IOL 均为 7。请注意，使 RTL 和 IOL 处于这些范围内并不意味着您很稳定。
- 如果您在 Ryzen 3000 或 5000 上，请确保总线频率（FCLK）设置为有效 DRAM 频率的一半。在 ZenTimings 中确认这一点，确保 FCLK 与 UCLK 和 MCLK 匹配。
运行您选择的内存烤机程序。
- Windows 将使用 ~2000MB，因此请确保在输入要测试的内存大小时考虑到这一点。我有16GB的RAM，通常测试14000MB。
- 最低推荐烤机时常：
  - 对于 AMD，同时运行 Prime95 Large FFT和 OCCT VRAM 的最大利用率，以测试 FCLK 并确保 FCLK 的稳定性。在任意频率/FCLK更改之后都应该运行。
  - MemTestHelper (HCI MemTest): 每个线程 20％。
  - Karhu RAMTest： 5000%。
    - 在高级选项卡中，确保将CPU缓存设置为启用。这将使测试速度提高约20％。
    - 测试的覆盖率为6400%，持续时间为1小时，误差覆盖率分别为99.41%和98.43%（来源-常见问题）。
  - TM5 anta777 Extreme: 3 cycles。
    - 测试时长随内存容量而变化。对于 16GB RAM，通常需要 1.5-2 小时。如果您运行 32GB RAM，您可以将配置的第 12 行 (Time (%)) 设置为一半，这样运测试时长就大致与 16GB 相同了。
  - OCCT Memory：SSE 和 AVX 各 30 分钟。
  - 你可以使用更多的测试以确保稳定性。建议运行各种测试以获得最大的检测覆盖率。
如果崩溃/死机/蓝屏死机或出现错误，请将 DRAM 频率降低一个档，然后再次进行测试。
将超频配置文件保存在 UEFI 中。
烧机测试通过后，你可以尝试提高频率或者选择缩小时序。
- 请记住上面的频率极限。如果您的颗粒和/或 IMC 体质一般，最好只是缩短时序。

尝试更高的频率

如果您不受主板，颗粒和 IMC 的限制，则此部分适用。本部分不适用于那些无法将频率稳定在预期范围内的人。
- 请注意，有些板有些自动规则，可以破坏您的进度，例如 tCWL = tCL - 1，这可能导致 tCWL 值不均匀。阅读Miscellaneous Tips可能会让您深入了解您的特定平台和主板功能。

Intel ：
- 将 VCCSA 和 VCCIO 提高到 1.25V。对于 ADL 来说，VCCIO 并不存在。注意，如果你有一个Alder Lake 非 K SKU，VCCSA 将被锁定，你的超频潜力将受到限制。
- 如果未将命令速率（CR）设置为 2T，则将其设置为 2T。
- 将 tCCDL 设置为8。华硕 UEFI 不公开此时序。
Ryzen 3000/5000:
- 不同步 MCLK 和 FCLK 会导致巨大的延迟损失，因此最好收紧时序以使 MCLK：FCLK 保持 1：1。有关更多信息，请参阅AMD - AM4。
- 否则，请将FCLK设置为稳定的值（如果不确定，请设置为1600MHz）。
将主要时序放宽到 18-22-22-42，tCWL 到 18。
如果对颗粒是安全电压，请将 DRAM 电压提高到 1.45v。详见推荐日常最高电压。
将 SOC 电压提高到 1.125V，VDDP 电压提高到 1.00V，VDDG CCD 提高到 1.00V。
按照步骤查找最大频率中的 5-7 步。
完成后进行下一步收紧时序。

收紧时序

确保在每次更改后运行内存测试和基准测试，以确保性能得到改善。
- 我建议运行基准测试 3 到 5 次并取平均值，因为内存基准测试可能会有一些误差。
- 理论最大带宽（MB/s） = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio
  - Transfers per clock 是指在一个完整的内存时钟周期内可以发生的数据传输次数。这在 DDR 内存上每个周期在上升和下降时钟沿发生两次。
  - Actual Clock 是内存的的真实频率，只需用 MHz 做单位。这通常通过 CPU-Z 等程序显示真正的内存频率。
  - 通道计数是活跃在您的 CPU 上的内存通道数。
  - 总线宽度是每个内存通道的宽度，以 bits 为单位。自 DDR1 以来，是 64 bits。
  - Bits 对 Byte 是恒定的 1/8 或 0.125
  有效内存速度（MT/s）最大双通道带宽（MB/s）
  
  3000 48000
  
  3200 51200
  
  3400 54440
  
  3466 55456
  
  3600 57600
  
  3733 59728
  
  3800 60800
  
  4000 64000
  - 您的读写带宽应为理论最大带宽的 90% - 98%。
    - 在单个CCD Ryzen 3000 CPU上，写带宽应为理论最大带宽一半的90％-98％。可能达到理论最大写带宽的一半。请参阅此处。
    - 理论上最大带宽的百分比与大多数内存时序成反比。一般来说，随着内存时序的收紧，此值将增加。

有效内存速度（MT/s）	最大双通道带宽（MB/s）
3000	48000
3200	51200
3400	54440
3466	55456
3600	57600
3733	59728
3800	60800
4000	64000

我建议先收紧一些次要时序，因为它们可以加快内存测试的速度。
我的建议:

时序安全严格极限

tRRDS/tRRDL/tFAW 6/6/24 4/6/16 4/4/16

tWR tRTP¹ 20 10 16 8 12 6
- 降低 tFAW 对内存性能产生影响的最小值是tRRDS * 4或tRRDL * 4,以最小值为准。
- 你不一定要在一个预设下运行所有的时序。例如，你可能只能启用严格下的 tRRDS tRRDL tFAW，但你可能可以启用极限下的 tWR。
- 在一些英特尔主板上，UEFI中的 tWR 不起任何作用，而是需要通过 tWRPRE（有时是 tWRPDEN）来控制。将 tWRPRE 降低 1 将使 tWR 降低 1，遵循规则 tWR=tWRPRE-tCWL-4。
- ¹tWR 是 2*tRTP，根据 Micron DDR4 数据手册。这个关系在 JEDEC DDR4 数据手册中也有说明。
- 感谢 junkmann 提供该图
接下来是 tRFC 。8Gb 颗粒的默认值为 350 ns（注意单位）。
- 注意：过多压低 tRFC 可能导致系统冻结/锁定。
- tRFC 是 DRAM 电容器"充电"或刷新的周期数。由于电容器电荷损失与温度成正比，因此在较高温度下运行的内存可能需要大幅提高 tRFC 值。
- 要转换为 ns：2000 * timing / ddr_freq
  例如， tRFC 250 的 DDR4-3200 是 2000 * 250 / 3200 = 156.25ns
- 要从 ns 转换（这是您在 UEFI 中输入的内容）：ns * ddr_freq / 2000 例如，180ns 的 DDR4-3600 是180 * 3600 / 2000 = 324，因此您会在 UEFI 中键入324
- 以下是常见IC的典型ns中的tRFC：
  
  颗粒 trfc （ns）
  
  S8B 120 - 180
  
  N8B 150 - 170
  
  H8D 240 - 260
  
  H8A, H8C 260 - 280
  
  M8E, M16B 280 - 310
  
  S8C 300 - 340
- 对于所有其他颗粒，我建议进行二分法搜索，以查找最低稳定的 tRFC。
  例如，假设您的 tRFC 是 630。下一个 tRFC 你应该尝试是其中的一半（315）。如果这是不稳定的，你知道了最低 tRFC 是介于315和630之间，所以你尝试中点（(315 + 630) / 2 = 472.5, round down to 472)）。如果这是稳定的，那么最低 tRFC 是 315 和 472 之间，以此类推。
- tRFC table by Reous。
以下是我对其余借助者的建议：

时序安全严格极限

tWTRS tWTRL 4 12 4 10 4 8

tCWL¹ tCL tCL - 1 tCL - 2
- 在 Intel 上，应将 tWTRS/L 保留为自动，并分别由 tWRRD_dg/sg 控制。将 tWRRD_dg 减 1 将使 tWTRS 减 1 。与 tWRRD_sg 相同。一旦它们降到最低，请手动设置 tWTRS/L 。
- 在 Intel 上，更改 tCWL 将影响 tWRRD_dg/sg 和 tWTR_S/L。如果将 tCWL 降低 1，则需要将 tWRRD_dg/sg 降低 1，以保持相同的 tWTR 值。请注意，这也可能影响 tWR 根据前面描述的关系。
- ¹有些主板与一些特别的 tCWL 值兼容性不是很好。例如，我稳定在 4000 15-19-19 tCWL 14，但在 tCWL 15 甚至没有开机。另一个用户也有类似的经历。有些主板看起来可能很好，但在更高的频率（华硕）有问题。如果 tCL 是偶数，则手动设置 tCWL 等于 tCL，或者如果 tCL 是奇数，则手动设置 tCWL 等于 tCL-1 应该可以缓解这种情况（例如，如果 tCL = 18 尝试 tCWL = 18 或 16，如果 tCL = 17 尝试 tCWL = 16）。
- 在这种情况下，Extreme 预设不是最极限值。tRTP 可以低至 5（Gear Down Mode 下为 6），而 tWTRS/L 可以去低至 1/6。有些主板可以在 tCWL=tCL-6 下工作得很好。请记住，这将增加内存控制器的负载。
- 在 AMD 上，tCWL 通常可以设置为 tCL-2，但已知需要更高的 tWRRD。
现在调整第三组：
- 如果您使用 AMD ，请参阅此帖子。我的建议是：
  
  时序安全严格极限
  
  tRDRDSCL tWRWRSCL 4 4 3 3 2 2
  - 众所周知，很多颗粒在低 SCL 时都有问题。除了三星 8gb B-Die 等颗粒之外， 2 这样的数值对所有其他颗粒都极其困难。这些值不一定相互关联，并且 5 是可以接受的。混合和匹配是可能的，而且通常 tRDRDSCL 要高出 1 甚至 2 。高于 5 的值会极大地损耗带宽，因此不建议。
- 如果您使用的是 Intel ，请一次将第三组调整为一组。我的建议：
  
  时序安全紧极端
  
  tRDRD_sg/dg/dr/dd 8/4/8/8 7/4/7/7 6/4/6/6
  - 有关 tWRRD_sg/dg，请参阅步骤 3。对于 tWRRD_dr/dd，将它们都降减 1，直到您遇到不稳定或性能下降。
  - 对于 tRDWR_sg/dg/dr/dd，将它们全部减 1，直到不稳定为止。通常，您可以全部相同地运行它们，例如9/9/9/9
    - 设置的太低可能导致系统冻结。
  - 请注意，dr 只影响双面内存，因此，如果您是单面内存，您可以忽略此参数。同样，只有在每个通道运行两个 DIMM 时，才需要考虑 dd。如果你真的想的话，你也可以把它们设置为0或1。
  - 对于双 rank 内存设置：
    - tRDRD_dr/dd 可进一步降低到 5，以获得较大的读取带宽提升。
    - tWRWR_sg 6 尽管稳定，但会导致写入带宽比 tWRWR_sg 7 低。
每次将 tCL 降 1 直到不稳定。
- 在 AMD 上，如果启用 GDM，则每次将 tCL 下降 2。
在 Intel 上，每次将 tRCD 和 tRP 下降 1，直到不稳定。

在 AMD 上，先将 tRCD 下降 1 直到不稳定。再在 tRP 上重复此操作。
- 注意：更低的 tRCD 可能需要增加 IMC 电压才能稳定。
设置tRAS = tRCD(RD) + tRTP如果不稳定，则增加。
- 这是 tRAS 可以达到的绝对最低值。
  
  在这里，您可以看到 tRAS 是 ACT 和 PRE 命令之间的时间。
  - ACT to READ = tRCD
  - READ to PRE = tRTP
  - 因此，tRAS = tRCD + tRTP。
设置tRC = tRP + tRAS。如果不稳定，则增加。
- tRC 仅在 AMD 和某些 Intel UEFI 上提供。
- 在 Intel UEFI 上，tRC 似乎确实受到 tRP 和 tRAS 的影响，即使它被隐藏起来。
  - （1） tRP 19 tRAS 42 - 完全稳定。
  - （2） tRP 19 tRAS 36 - 立即出错。
  - （3） tRP 25 tRAS 36 - 稳定高达 500%。
  - 在（1）和（3）中， trc 是 61，并不完全不稳定。但是，在（2） tRC 是 55 而 RAMTest 立即发现错误。这表明，我的内存可以压低 tRAS，但 tRC 不行。由于 tRC 是隐藏的，所以我需要更高的 tRAS 来获得更高的 tRC 以确保稳定性。
增加 tREFI，直到它不稳定。在此处还应用了在查找最低 tRFC 时解释的二进制搜索方法。另外，以下是我的建议：

时序安全严格极限

tREFI 32768 40000 Max (65535 or 65534)
- 增加太多通常不是个好主意，因为环境温度变化（如冬季到夏季）可能造成不稳定。
- 请记住，以最大值运行 tREFI 可能会损坏文件，因此请谨慎行事。
最后 CR
AMD： - 禁用 GDM 的同时保持 CR 1 可能很难稳定运行，但如果你已经走到这一步，值得一试。 - 如果你不做任何更改就可以禁用 GDM 并保持 CR 1 稳定，那么你可以略过这一节。 - 随着频率的增加，CR 1 的运行明显变得困难。通常，使用 CR 2 有助于实现更高的频率。 - 在 AMD 上，GDM 优先于 CR 。因此，禁用 GDM 设置 CR 2 可能有利于整体稳定性。
1. 一种可能性是将 DRAM 驱动强度(DRAM Drive Strength)设置为 60-20-20-24，设置时间(Setup Times)设置为 63-63-63。
  - 驱动强度是 ClkDrvstr、AddrCmdDrvStr、CsOdtDrvStr 和 CkeDrvStr。
  - 设置时间是 AddrCmdSetup、CsOdtSetup 和 CkeSetup。
2. 如果无法运行，请调整设置时间，直到您可以运行（您应该一起调整它们）。
3. 进行内存烤机。
4. 不稳定时调整设置时间，然后是驱动强度。
- 我关闭 GDM 下 CR 1 稳定设置
1. 通常情况下，超过 24 欧姆的驱动强度可能会损害稳定性。此外，很少需要运行非零调整时间，可能有助于 CR 1 的稳定。
Intel:
- 如果低于 DDR4-4400，请尝试将 CR 设置为 1T。如果无法工作，请在 CR 上保持 2T。
- 在华硕 Maximus 板上，启用 Trace Centering 可有助于在 CR 1T 推高频率。
您还可以增加 DRAM 电压，以进一步降低时序。牢记电压缩放和推荐日常最高电压

时序	安全	严格	极限
tRRDS/tRRDL/tFAW	6/6/24	4/6/16	4/4/16
tWR tRTP¹	20 10	16 8	12 6

颗粒	trfc （ns）
S8B	120 - 180
N8B	150 - 170
H8D	240 - 260
H8A, H8C	260 - 280
M8E, M16B	280 - 310
S8C	300 - 340

时序	安全	严格	极限
tWTRS tWTRL	4 12	4 10	4 8
tCWL¹	tCL	tCL - 1	tCL - 2

时序	安全	严格	极限
tRDRDSCL tWRWRSCL	4 4	3 3	2 2

时序	安全	紧	极端
tRDRD_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6

时序	安全	严格	极限
tREFI	32768	40000	Max (65535 or 65534)

杂项提示

通常，DRAM 频率增加 200MHz 可以消除将 tCL，tRCD 和 tRP 增加 1 的带来的延迟，而且具有更高带宽的。
例如，3000 15-17-17 具有与 3200 16-18-18 相同的延迟，但是3200 16-18-18 具有更高的带宽。这通常是在完成初始调整后，而不是在 XMP 中。
一般来说，只要性能不受 FCLK 同步、CR 或 Gear 的负面影响，频率应优先于更低的时序。
第二和第三时序（ tRFC 除外）在整个频率范围内并没有太大变化。如果您在3200MHz上具有稳定的第二和第三时序，则只要颗粒，IMC 和主板足够强，它们就可以在 3600MHz 甚至 4000MHz 下运行。

Intel

将 tCCDL 下放到 8 可能有助于提高稳定性，尤其是在 3600MHz 以上时。这不会对延迟造成重大影响，但可能会对内存读写带宽产生较大的影响。
较高的缓存（也称为非核心，ring）频率可以增加带宽并减少延迟。
在完成时序的收紧后，您可以增加 IOL 偏移以减少 IOLs。请务必在之后运行内存测试。更多信息在这里。
- 一般，RTL 和 IOL 值会影响内存性能。降低它们将增加带宽，并显著减少延迟。
- 在某些情况下，较低的值也有助于增强稳定行并降低 IMC 对电压的要求。有些主板自己调整得很好。有些主板允许简单的调整，而其他主板会忽略任何的用户输入值。
- 如果其他所有故障，您可以尝试手动成对减少 RTL 和 IOL 。
对于华硕 Maximus 主板：
- 调试 Maximus Tweak Modes，有时会有意外惊喜。
- 您可以 Memory Training Algorithms 下的 Round Trip Latency，让主板尝试调整 RTL 和 IOL 值。
- 如果都失败了，你可以尝试成对手动减少 RTL 和 IOL。更多信息在这里。
tXP（以及随后的 PPD）对 AIDA64 内存延迟有重大影响。
Rtt Wr，Park 和 Nom 可以对超频产生巨大的影响。理想的值可能取决于您的主板、内存颗粒和密度。“optimal"将允许您以更低的内存控制器电压获得更高的频率。有些主板显示 auto（微星），而另一些板则不显示（华硕）。找到完美的组合是耗时的，但对于进阶设置非常有帮助。
在某些主板上，启用 XMP 可以实现更佳的超频。
- 感谢 Bored 和 Muren 在他们的华擎主板上发现并验证了这一点。

AMD

如果无法启动，请尝试调节 ProcODT。根据美光的说法，较高的 ProcODT 设置可以使内存更稳定，但可能需要以更高的电压为代价。在 Ryzen 1000 和 2000 上，由于内存控制器较差，您应该尝试 40Ω 到 68.6Ω 之间的值。在 Ryzen 3000 和 5000 上，1usmus建议 28Ω - 40Ω 。较低的设置可能更难运行，但可能有助于满足电压要求。更高的值可能有助于提升稳定性，不过根据美光的说法，高于 60Ω 的 ODT 值仅适用于极弱的内存控制器和更低的功率解决方案。这似乎与The Stilt的设置一致。

除了华硕为 Optimem III 制定的自动规则为 ProcODT 40.0Ohm 外，其余均为AGESA默认值。
较低的 SOC 电压和/或 VDDG IOD 可能有助于稳定。 {% note warning %} CHH 论坛里有人求证过林大，可能是作者的认知错误，正常来说较高的电压有助于提高稳定性。目前只出现过华硕主板从自动电压降低电压提高稳定性，可能是华硕自动电压给的过高 {% endnote %}
在 Ryzen3000 上，较高的 CLDO_VDDG 有助于提高 3600MHz 以上的稳定性。

增大 cLDO_VDDP 在高于 3600MHz MEMCLK 似乎是有用的，因为增大 cLDO_VDDP 似乎可以改善，从而有助于解决潜在的问题。

资料来源：The Stilt。

此值在 Ryzen 3000 和 5000 上不超过 1.10V，并且应始终限制在 DRAM 电压以下至少 0.10V。

资料来源：AMD
当提高 FCLK 至大约 1800MHz 内存烤机错误可以通过增高 VDDG CCD 来缓解或完全消除。

目录

DDR4内存超频教程

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通用内存信息

频率和时序的关系

第一、第二和第三时序

期望/限制

主板

颗粒

指代符号

Thaiphoon 报告

内存上的标签

海盗船编号

芝奇 042 编号

金士顿编号

关于颗粒和内存容量的注意事项

电压缩放

最大预期频率

体质

推荐日常最高电压

排名

温度及其对稳定性的影响

集成内存控制器 （IMC）

Intel IMC

AMD IMC

超频

查找最大频率

尝试更高的频率

收紧时序

杂项提示

Intel

AMD

有用的链接

基准

信息

集成内存控制器（IMC）