DDR4内存超频教程

Shawn Lee 收录于 PC 和 PC超频

2021-09-08 2023-06-20 约 17400 字预计阅读 35 分钟 - 次阅读 - 条评论

警告

本文最后更新于 2023-06-20，文中内容可能已过时。

来自 MemTestHelper 的 DDR4 详细超频教程,仅做翻译

准备

为确保超频稳定，您应该始终使用各种压力测试进行测试。

内存测试软件

应进行烤机以确保超频是稳定的。

不推荐

不推荐使用 Aida64 和Memtest64，因为它们都不太适合测试内存的稳定性。

可选

GSAT。
1. 安装WSL和Ubuntu。
2. 打开一个 Ubuntu bash shell 。sudo apt update
3. 输入sudo apt-get install stressapptest
4. 开始测试,输入stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600
- -M是要测试的内存大小（MB）。
- -s是测试时间（秒）。
- --pause_delay是峰值功耗之间的延迟。它应该与-s参数相同以跳过峰值功耗测试。
Karhu RAM Test（付费）。
y-cruncher及这个配置。
- 将以下内容粘贴到名为memtest.cfg的新文件中，与y-cruncher.exe位于同一文件夹中。
- 根据需要调整以下字段：
  - LogicalCores：CPU 线程，例如在 6C6T 上为[0 1 2 3 4 5]，在 4C8T 上为[0 1 2 3 4 5 6 7]
  - TotalMemory：y-cruncher 使用的内存（bytes）
- 创建一个指向y-cruncher.exe的快捷方式，并添加pause:1 config memtest.cfg到目标字段。您的目标字段应该像这样"path\to\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg
- 感谢：u/Nerdsinc
Prime95 Large FFTs 在查找内存错误方面也不错。
- 我一直在使用 800k - 800k 的自定义 FFT 范围，尽管我认为在 Large FFT 范围内的任何 FFT 值都应该有效。
  - 确保未选中"Run FFTs in place"。
  - 在prime.txt，在TortureWeak下添加TortureAlternateInPlace=0，以防止 P95 testing in place。testing in place 只使用少量内存，而我们不希望出现这种情况。
- 你可以创建一个指向prime95.exe的快捷方式，并在属性 > 目标字段中添加-t，以立即使用prime.txt中的设置开始测试。你的目标字段应该类似于："path\to\prime95\prime95.exe" -t
- 您还可以更改 Prime95 的配置文件目录，以便有一个配置文件用于烤 CPU 另一个配置文件用于烤 RAM。
  1. 在prime95.exe文件夹中，创建另一个文件夹。此示例将命名为“RAM”（不带引号）。
  2. 复制prime.txt和local.txt到刚刚创建的文件夹。
  3. 根据需要调整prime.txt中的配置。
  4. 创建另一个指向prime95.exe的快捷方式，并在目标字段中添加-t -W<folder_name>。你的目标字段应该像："path\to\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
  5. 现在你可以使用提供的设置使用该快捷方式启动 Prime95。
randomx-stress- 可用于测试 FCLK 稳定性。

比较

Karhu RAMTest，TM5(extreme config) 和 GSAT 之间的比较。

TM5 是速度最快且压力最大的测试，尽管我曾经有过通过 30 分钟的 TM5 测试但在 Karhu 测试中 10 分钟就失败的情况。另一位用户也有类似的经历。但请注意，每个人的情况可能有所不同。

时序软件

在 Windows 中查看时序：
- Intel：
  - X99：Asrock Timing Configurator v3.0.6
  - Z370(?)/Z390：Asrock Timing Configurator v4.0.4 （并不限于华擎主板）
  - EVGA 主板和 Z170/Z270(?)/Z490：Asrock Timing Configurator v4.0.3
  - 适用于 Rocket Lake：ASRock Timing Configurator v4.0.10
  - 适用于 Alder Lake：ASRock Timing Configuator v4.0.14 或 MSI Dragon Ball
- AMD：
  - ZenTimings。

基准测试

AIDA64 - 免费 30 天试用。我们将使用缓存和内存基准测试（位于工具中）以查看效能，你可以右键点击开始基准测试按钮，并仅运行内存测试以跳过缓存测试。
Intel Memory Latency Checker- 包含许多用于检测内存性能的测试。比 AIDA64 提供更详细的数据，而且在测试之间带宽数值有所不同。请注意，它必须以管理员运行才能禁用预取功能。在 AMD 平台上，可能需要在 BIOS 中禁用预取功能。
Intel MLC GUI - Faris 为 Intel Memory Latency Checker 开发的 GUI。
xmrig对内存非常敏感，因此对测试特定时序的影响非常有用。首先以管理员身份运行--bench=1M作为命令行参数以启动基准测试，然后使用基准测试时长进行比较。
MaxxMEM2 - AIDA64 的免费替代品，但是带宽测试似乎要低得多，因此与 AIDA64 无法直接进行比较。
Super Pi Mod v1.5 XS - 另一个对内存敏感的基准，但是我没有像 AIDA64 那样频繁的用它。1M-8M 足以满足快速基准测试的需要。你只需要查看最后的（总）时间，较低的时间意味着更好的性能。
HWBOT x265 Benchmark- 我听说这个基准测试对内存也很敏感，但我自己并没有进行过真正的测试。
PYPrime 2.x - 这个测试是快速的，并且与 CPU 核心频率、缓存/FCLK、内存频率和时序非常相关。

通用内存信息

频率和时序的关系

内存频率以兆赫（MHz）或每秒百万个周期（Million Transfers per second，MT/s）来衡量。更高的频率意味着每秒钟进行更多的周期，也就是更好的性能。
有趣的是，人们通常将 DDR4-3200 称为 3200 MHz，但实际上，内存的真实频率只有 1600 MHz。在 DDR（双倍数据率）内存中，数据在上升沿和下降沿传输，因此内存的真实频率是每秒传输次数的一半。DDR4-3200 每秒传输 3200 百万位，因此 3200 MT/s 的操作频率为 1600 MHz。
内存时序以时钟周期或时钟周期数来衡量。较低的时序意味着执行操作所需的周期较少，也就是更好的性能。
- 需要注意的是，tREFI 是刷新间隔。顾名思义，tREFI 是刷新之间的时间间隔。当内存正在刷新时，无法执行其他操作，因此希望刷新的频率尽可能低。为了实现这一点，希望刷新之间的时间间隔尽可能长。这意味着希望 tREFI 尽可能高。
虽然时序越低越好，但这也取决于内存运行频率。例如，尽管 DDR4-3000 CL15 相比 DDR4-3200 CL16 以较低的 CL 运行，但二者具有相同的延迟。这是因为较高的频率抵消了 CL 的增加。
计算给定时序下的实际时间单位纳秒（ns）：2000 * timing / ddr_freq
- 例如，DDR4-3000 CL15 的延迟是2000 * 15 / 3000 = 10ns
- 同样，DDR4-3200 CL16 的延迟是2000 * 16 / 3200 = 10ns

第一、第二和第三时序

Intel
AMD
内存时序分为 3 类：第一、第二和第三时序。这些分别由"P"、“S"和"T"表示。
- 第一和第二时序影响延迟和带宽。
- 第三时序影响带宽。
  - 同时影响延迟和带宽的 tREFI/tREF 是个例外，但它在 AMD 上无法修改。

期望/限制

本节介绍了可能会影响超频体验的三个组件：颗粒（IC）、主板和内存控制器（IMC）。

主板

只有 2 个 DIMM 插槽的主板可以达到最高频率。
对于具有 4 个 DIMM 插槽的主板，安装的内存条数量将影响最高内存频率。
- 在使用菊花链式内存走线布局的主板上，首选 2 条内存。首选使用 2 个内存条。使用 4 个内存条可能会显著影响最高内存频率。
- 另一方面，采用 T 型拓扑结构的主板在使用 4 个内存条时超频效果最好。但使用 2 条内存不会像在菊花链主板上使用 4 条内存那样影响您的最大内存频率。（？）。
- 大多数厂商不会公开宣传其内存传输布局，但您可以根据 QVL 进行有根据的猜测。例如，Z390 Aorus Master 在其最高验证频率是使用 4 个 DIMM 时，说明采用了 T 型拓扑结构布局。然而，如果最高验证频率是使用 2 个 DIMM 完成的，那么可能采用了菊花链式布局。
- 根据 Buildzoid 的说法，菊花链 VS T 拓扑仅在 4000MHz 以上的频率时才有影响。如果你使用的是 Ryzen 3000 或 5000 系列处理器，这个问题并不重要，因为在 MCLK:FCLK 比例为 1:1 时，DDR4-3800 是甜点频率。
  关于甜点频率
  5000 系 FCLK 体质明显好于 3000 系，如果你的 FCLK 可以拉到 2000 则甜点频率为 4000mHz，以此类推
低端主板可能超频效果并不理想，这可能是由于较低的 PCB 质量和层数所致。（？）。

颗粒（IC）

了解在你的内存中是哪种颗粒（有时称为 “dies”）会让你对超频有初步的预期。当然即使你不了解它们你依旧可以超频

指代符号

为了更便捷的区分这些颗粒，文中会用到一些指代符号

X 代表制造商的首字母（例如，三星为 S，海力士为 H，美光为 M，南亚为 N 等）。
Y 是容量（8 代表 8Gb，16 代表 16Gb）。
Z 是颗粒的版本。

打个比方，三星 8 Gb B-die 就是 S8B。

Thaiphoon

注意：众所周知，Thaiphoon 会蒙颗粒，所以不应该完全信任它。强烈建议如有可能，检查内存条上的标签。有关更多信息
- 请参阅此处。
单 rank 8 Gb 海力士 CJR (H8C).

单 rank 8 Gb 美光 Revision E (M8E) (来源: Coleh#4297).
- SpecTek是挑剩下的的美光（Micron）颗粒。
- 小贴士：许多人开始将其称为美光 E-die 或 E-die。前者没问题，但后者可能会引起混淆，因为字母-die 通常用于三星（Samsung）的颗粒，例如三星 4 Gb E-die。当你说 E-die 时，意味着三星，但由于人们将美光 Rev. E 称为 E-die，最好在前面加上制造商的前缀，以避免混淆。

双 rank 三星 8 Gb B-die (S8B).

内存上的标签

有时，Thaiphoon 不会显示颗粒，或者会错误地识别颗粒。要确认这一点，您可以检查内存上的标签。目前，只有海盗船、芝奇和金士顿有识别颗粒的标签。

参见HardwareLuxx，这是一张总结了以下信息的整洁的信息图。

海盗船编号

海盗船的标签上有一个 3 位数的版本号，显示了内存上有哪些颗粒。
第一个数字是制造商。
- 3 = 美光
- 4 = 三星
- 5 = 海力士
- 8 = 南亚
第二个数字是容量。
- 1 = 2Gb
- 2 = 4Gb
- 3 = 8Gb
- 4 = 16Gb
最后一个数字是修订号。
有关完整列表，请参阅r/overclocking wiki。

芝奇 042 编号

与海盗船类似，芝奇使用 042 编号来表示颗粒。
示例： 04213X8810B
- 第一个加粗的字符是容量。4 表示 4Gb，8 表示 8Gb，S 表示 16Gb。
- 第二个粗体数字是制造商。1 为三星，2 为海力士，3 为美光，4 为力晶，5 为南亚， 9 为晋华。
- 最后一个字符是修订号。
- 这是三星 8Gb B-die 的代码。
有关完整列表，请参阅r/overclocking wiki。

金士顿编号

示例：DPMM16A1823
- 加粗字母表示制造商。H 表示海力士，M 表示美光，S 表示三星。
- 接下来的 2 位数字表示单双 rank 。08 = 单 rank 而 16 = 双 rank。
- 下一个字母表示生产月份。1-9， A，B，C.
- 接下来的 2 位数字表示生产年份。
- 这是 2018 年 10 月生产的双 rank Micron 的代码。
来源

关于颗粒和内存容量的注意事项

通常，单 rank 内存的频率要比双 rank 内存的频率高，但根据测试，从 rank interleaving 中得到的性能¹足以使其超越单 rank 内存。这在合成测试和游戏中都可以看到。
- 在最新的平台（Comet Lake 和 Zen3）上，双 rank 内存条的 BIOS 和内存控制器支持有了显著改进。在许多 Z490 板上，双 rank 三星 8Gb B-die -（2x16GB）的频率能超到与单 rank B-die 相当，这意味着您拥有 rank interleaving 带来的所有性能收益，却几乎没有负面影响。
- ¹rank interleaving 允许内存控制器并行处理内存请求，例如在一个 rank 上进行刷新时，在另一个 rank 上进行写入。这一影响在 AIDA64 的复制带宽中很容易观察到。从内存控制器的角度来看，第二个 rank 是在同一个 DIMM 上（一个 DIMM 上的两个 rank）还是在不同的 DIMM 上（一个通道中的两个 DIMM）并不重要。然而，从超频的角度来看，这一点很重要，因为需要考虑内存线路布局和 BIOS 支持。
- 具有相同颗粒的第二个 rank 意味着有两倍数量的存储区组可用。这意味着可以更频繁地使用较小的时序，例如使用 RRD_S 而不是 RRD_L，因为可能有一个更新的存储区组可用。当连续两次操作同一存储区组时，需要使用较长的时序（L），当有 7 个其他存储区组而不是 3 个时，您有更多的选择来避免这种情况。
- 这也意味着有两倍数量的 bank 和 row 可以同时打开。因此，您更有可能打开所需的 row。您不必经常关闭行 A，打开行 B，然后再次关闭 B 以打开 A。您会较少受到类似 RAS/RC/RCD（等待关闭的行以打开另一行）和 RP（等待打开行关闭以打开其他行）的操作的限制。你被 RAS/RC/RCD（在等待某 row 打开时，因为它被关闭了）和 RP（在等待某 row 关闭以打开另一 row 时）等操作耽搁的次数减少了。
- x16 配置的 banks 和 bank groups 的数量将是传统 x8 配置的一半，这意味着性能较低。更多信息见buildzoid’s video。
内存容量在确定颗粒超频潜力时很重要。例如，尽管名称相同，但 4 Gb AFR 和 8 Gb AFR 的超频能力不同。对于同时存在 8Gb 和 16Gb 两种容量的 Micron Rev.B 也是如此。16Gb 颗粒的超频潜力更好，尽管 DIMMs 使用 8 个芯片，但 16Gb 和 8GB 容量都有售。8 GB 内存条的 SPD 被修改过，并且可以在高端 Crucial 套件中找到（BLM2K8G51C19U4B）。
随着系统中内存 ranks 总数的增加，内存控制器上的负载也增加。这通常意味着更多 ranks 的内存将需要更高的电压，尤其是 Intel 上的 VCCSA 和 AMD 上的 SOC 电压。

电压缩放

电压缩放简单来说指的是颗粒如何响应电压变化。
在许多颗粒上，tCL 与电压相关，增加电压可以使 tCL 值降低。相反，tRCD 和/或 tRP 在许多颗粒上通常不会随电压变化，这意味着无论给多少电压，它都不会发生变化。据我所知 tCL，tRCD，tRP，或许包括 tRFC 可以（或不能）对电压变化作出响应。
类似地，如果一个时序对电压变化敏感，您可以增加电压以在更高的频率下运行相同的时序。
- 可以看到，在 H8C 上，tCL 随电压的增加几乎呈线性变化，直到 DDR4-2533。
- S8B 上的 tCL 与电压之间具有完美的线性关系。
- M8E 上的 tCL 也与电压之间具有完美的线性关系。
- 我已将这些数据整合到一个计算器。将滑块 f 和 v 调整到您想要的频率和电压，它将输出在给定 CL 条件下可达到的频率和电压（假设 CL 在 1.50 V 以下以线性方式变化）。例如，1.35 V 下的 DDR4-3200 CL14 应该可以在 1.40 V 下实现大约 DDR4-3333 CL14，在 1.45 V 下实现大约 DDR4-3533 CL14，以及在 1.50 V 下实现 DDR4-3733 CL14。
B-die tRFC 电压缩放
- 在这里你可以看到 tRFC 在 B-die 上相当不错的缩放。
一些较旧的 Micron 颗粒（在 M8E 之前）随电压呈反比缩放。也就是说，它们在相同的频率和时序下仅通过增加电压（通常超过 1.35 V）就变得不稳定。
以下是我测试过的颗粒表，以及时序是否随电压而变化：

颗粒 tCL tRCD tRP tRFC

S8B Y Y Y Y

H8C, H8D Y N N Y

H8A Y N N ?

M8B, M8E, M16B, N8B, S4E, S8D Y N N N
- 通常，那些不随电压变化的时序在增加频率时需要进行调整。

颗粒	tCL	tRCD	tRP	tRFC
S8B	Y	Y	Y	Y
H8C, H8D	Y	N	N	Y
H8A	Y	N	N	?
M8B, M8E, M16B, N8B, S4E, S8D	Y	N	N	N

最大预期频率

以下是一些常见颗粒的最大预期频率：

颗粒 Expected Max Effective Speed (MT/s)

H8D, M8E, M16B, S8B, S8D 5000+

N8B, S4E 4000+

H8C 4133¹

H8A, M8B 3600
- ¹根据我的测试结果，H8C 在性能方面存在一些不一致。我测试了 3 根 RipJaws V 3600 CL19 8 GB 的内存。一根卡在 DDR4-3600，另一根卡在 DDR4-3800，但最后一根可以做到 DDR4-4000，都是 1.45V CL16。
- 不要指望较低体质的颗粒会比较高体质的颗粒更能超。对于B-die来说尤其如此。
- 这些值仅指颗粒的平均能力，但其他因素（如主板和 CPU）对上述值可能产生重大影响。

颗粒	Expected Max Effective Speed (MT/s)
H8D, M8E, M16B, S8B, S8D	5000+
N8B, S4E	4000+
H8C	4133¹
H8A, M8B	3600

分级

根据组件的性能特征进行分类的过程。制造商会根据颗粒的频率将其分到不同的产品中。因此称为分级。
芝奇是一家以分级而闻名的制造商。很多时候，几种不同的产品实际源于同一等级颗粒（即 DDR4-3600 16-16-16-36 1.35 V 的 B-Die 与 DDR4-3200 14-14-14-34 1.35 V 的 B-Die 等级相同）。
B-die 颗粒中，体质为 2400 15-15-15 的颗粒明显比 3200 14-14-14 甚至 3000 14-14-14 的差。不要指望它具有与良好体质的 B-die 相同的电压缩放特性。
要想知道在同一电压下，相同颗粒中哪个体质更好，需要找出不随电压缩放的时序。简单地用频率除以时序，数值越大，体质越好。
- 例如，海盗船 Ballistix 3000 15-16-16 和 3200 16-18-18 都使用 Micron Rev.E 颗粒。简单地将频率除以 tCL 可得到相同的值（200），这是否意味着它们是同一体质？
  
  不是的
  
  tRCD 不会与电压一起缩放，这意味着它需要随着频率的增加而增加。 3000 / 16 = 187.5 但 3200 / 18 = 177.78。正如您所见，DDR4-3000 15-16-16 比 DDR4-3200 16-18-18 更紧凑。这意味着 DDR4-3000 15-16-16 的套件很可能能够达到 DDR4-3200 16-18-18，但 DDR4-3200 16-18-18 的套件可能无法达到 DDR4-3000 15-16-16。然而，频率和时序之间的差异非常小，它们可能会有相似的超频能力。

颗粒	日常电压 (V)	极限电压 (V)
H8D, H16A, M8E, M16B, S4D, S4E, S8B	Up to 1.55	Above 1.55
H4A, H8A, H8C¹ , H16C, N8B	Up to 1.45	Above 1.45
S8C	Up to 1.35	N/A²

排名

以下是大多数常见的颗粒在频率和时序方面的排名。

等级	颗粒	Description
S	S8B	最佳 DDR4 颗粒，全面优秀
A	H8D, M8E¹, M16B	性能表现最好的颗粒。已知无频率墙，通常随电压缩放
B	H8C, N8B, S4E	具有高频和低时序的高端颗粒
C	H8J, H16M, H16C, M16E, S8D	不错的频率并且有一些超频潜力颗粒
D	H8A, M8B, S8C, S4D	常见于普通廉价套件中的低端颗粒。大多数是 EOL，不再生产
F	H8M, M4A, S4S, N8C	垃圾的颗粒甚至不能符合 JEDEC 标定的最高标准

部分基于Buildzoid’s older ranking。由于发布的年限，某些颗粒未包含在此列表中。
¹新版 M8E 的提升主要是在保持稳定的前提下不修改 VTT 提升频率并压低 tRCD 。一般来说，新版的 M8E (C9BKV, C9BLL, etc.) 会有更低的 tRCD 及更高的频率且无需修改 VTT。

温度及其对稳定性的影响

通常情况下，内存温度越高，在更高频率和/或更紧凑的时序下，其稳定性就会降低。
tRFC 对温度非常敏感，因为它们与电容器泄漏有关，而电容器泄漏受温度影响。更高的温度需要更高的 tRFC 值。较高的温度需要更高的 tRFC 值。tRFC2 和 tRFC4 是在 DRAM 的操作温度达到 85°C 时激活的时序。在这些温度以下，这些时序不起作用。
B-Die 对温度敏感，其理想范围为 ~30-40°C。然而，某些芯片可能能够承受更高的温度，所以个体之间可能会有差异。
另一方面，M8E 似乎对温度的敏感性不如 B-Die 那么强，由builzdoid提出。
您可能会发现，电脑在内存烤机时很稳定，但在游戏时会崩溃。这是因为你的 CPU、GPU 会将热量释放到机箱中，从而提高了 RAM 的温度。因此，在运行内存测试的同时进行 GPU 的压力测试，以模拟游戏时的稳定性，是一个不错的做法。

内存控制器（IMC）

Intel IMC

英特尔的 Skylake 内存控制器非常强大，所以超频时不会成为瓶颈。 14+++++ +++的魅力
除了有关 Gear 1 和 Gear 2 内存支持的限制外，Rocket Lake IMC 拥有在所有英特尔消费级 CPU 中最强大的内存控制器，而且有相当大的优势。
Gear 1 是首选，因为内存控制器的时钟与 DRAM 的时钟速度是同步的，异步会产生延迟增加。
在非 K Alder Lake 上，非 K 后缀 CPU 锁定了 VCCSA，可能无法在 Gear 1 下以更高的频率工作。Gear 1 下的预期频率为 3200 - 3466 。
在超频内存时，有两个需要改变的电压：VCCSA 和 VCCIO。 绝不要让这些电压处于自动状态，因为它们会将你的 IMC 电压拉到危险的水平，可能会使它缩肛甚至损坏。大多数时候，你可以保持 VCCSA 和 VCCIO 相同，但有时太高的电压可能会影响稳定性（来源：Silent_Scone）。

以下是我建议的 2 个 rank DIMMs 的 VCCSA 和 VCCIO：

有效速度（MT/s） VCCSA/VCCIO （V）

3000 - 3600 1.15 - 1.20

3600 - 4000 1.20 - 1.25

4000 - 4200 1.25 - 1.30

4200 - 4400 1.30 - 1.35
- VCCIO 一般应比 VCCSA 低 50 mV， 1.4 V VCCSA + 1.35 V VCCIO 是可接受的上限。
- 对于 Alder Lake，安全电压尚不为人所知，因为它相对较新。1.25-1.35 V VCCSA 和 VDDQ 的电压尚未证明会引起明显的劣化。
- 随着更多的 DIMMs 和/或双 rank DIMMs，你可能需要比建议的更高的 VCCSA 和 VCCIO 。
从 Skylake 到 Rocket Lake（包括）CPU 上，tRCD 和 tRP 是关联在一起的，这意味着如果你设置 tRCD 为 16，但 tRP 为 17，两者都将以较高的时序（17）运行。这种限制是许多颗粒在英特尔上表现不佳的原因，也是 B-die 与 Intel 很匹配的原因。
- 在华擎和 EVGA 的 BIOS 上，它们被合并成 tRCDtRP 。在华硕 BIOS 上，tRP 是不可见的。在微星和技不如人的 BIOS 上，tRCD 和 tRP 是可见的，但是将它们设置为不同的值仅较高的值生效。
在 Alder Lake CPU 上，tRCD 和 tRP 不再关联。
预期内存延迟范围：40ns - 50ns。
- 三星 B-Die 的预期内存延迟范围：35ns - 45ns。
- 总体而言，由于晶圆尺寸（环形总线）的差异，不同代的延迟存在变化。因此，相同设置下，9900K 的延迟会略低于 10700K，因为 10700K 使用与 10900K 相同的晶圆。
- 延迟受 RTL 和 IOL 的影响。一般来说，高质量的主板和针对超频优化的主板内存走线会更直，并可能具有较低的 RTLs 和 IOLs。在某些主板上，更改 RTL 和 IOLs 没有效果。

有效速度（MT/s）	VCCSA/VCCIO （V）
3000 - 3600	1.15 - 1.20
3600 - 4000	1.20 - 1.25
4000 - 4200	1.25 - 1.30
4200 - 4400	1.30 - 1.35

AMD IMC

一些术语解释：

MCLK：真正的内存频率（RAM 有效速度的一半）。例如，对于 DDR4-3200，MCLK 为 1600MHz。
FCLK：Infinity Fabric 时钟。
UCLK：统一内存控制器频率。当 MCLK 和 FCLK 不相等时， MCLK 的值减半（脱同步， 2：1 模式）。
在 Zen 和 Zen+ 上，MCLK = FCLK = UCLK。但是，在 Zen2 和 Zen3 上，您可以指定 FCLK。如果 MCLK 是 1600MHz （DDR4-3200），并且将 FCLK 设置为 1600MHz，则 UCLK 也将为 1600MHz，除非您将 MCLK：UCLK 比率设置为 2：1（也称为 UCLK DIV 模式）。但是，如果将 FCLK 设置为 1600MHz，UCLK 将运行在 800MHz（异步）。
Ryzen 1000 和 2000 的 IMC 在超频时可能很棘手，不能像英特尔那样能上高频率。另一方面，Ryzen 3000 和 5000 的 IMC 要好得多，与 Intel 的较新的基于 Skylake 架构的 CPU（第 9 代和第 10 代）大致相当。
SOC 电压是 IMC 的电压，与 Intel 一样，不建议将其留在 Auto 上。此值范围的典型值约为 1.00V 和 1.10V。较高的值通常是可以接受的，并且可能在稳定更高容量内存和实现 FCLK 稳定性方面起到帮助作用。
但是，当 SOC 电压过高时，会出现内存不稳定。在大多数 Ryzen CPU 上，这种负缩放通常发生在 1.15V 和 1.25V 之间。

内存控制器在不同 CPU 上的表现存在明显差异。大多数 CPU 在 1.050V SoC 电压下会达到 DDR4-3466 或更高，但区别在于不同的样本对电压的反应。一些样本在增加的 SoC 电压下表现出缩放效应，而其他样本则完全不缩放，甚至在某些情况下还呈现负缩放效应。所有测试的样本在使用高于 1.150V SoC 时都产生负增长（即更多错误或烤机错误）。在所有情况下，最大内存频率均在 =< 1.100V SoC 电压下实现的。
The Stilt
在 Ryzen 3000 上，还有 CLDO_VDDG（通常缩写为 VDDG，不要与 CLDO_VDDP混淆），用于驱动 Infinity Fabric。SOC 电压应至少值 CLDO_VDDG 高 40mV，因为 CLDO_VDDG 源自 SOC 电压。

大多数 CLDO 电压是由 CPU 的两个主电源轨调节的。在 cLDO_VDDG 和 cLDO_VDDP 的情况下，它们是由 VDDCR_SoC 平面调节的。正因这样，有几条准则。例如，如果你将 VDDG 设置为 1.10 V，而在负载下实际的 SoC 电压为 1.05 V，那么 VDDG 将最多保持在大约 1.01V。同样，如果您将 VDDG 设置为 1.100V 并开始增加 SoC 电压，则您的 VDDG 也会提高。
我没有确切的数字，但你可以假设最低降压（Vin-Vout）在 40mV 左右。
这意味着你的实际 SoC 电压必须至少比要求的 VDDG 高这么多，才能按要求生效。

与之前的一代产品不同，仅调整 SoC 电压并没有太大的效果，甚至没有效果。默认值为固定的 1.100 V，并且 AMD 建议保持在这个水平。增加 VDDG 有助于在某些情况下提高芯片间连时钟速度，但并非总是如此。 1800 MHz 的 FCLK 应该可以在默认的 0.950 V 的值下完成，而要推动极限，增加到<= 1.05 V（即 1.100 - 1.125 V 的 SoC 电压，取决于负载线路）可能会有益。 ~ The Stilt
- 在 AGESA 1.0.0.4 或更新的版本, VDDG 分成了 VDDG IOD 和 VDDG CCD，用于 I/O die 和芯片部件。
以下是 2 根单 rank DIMM 的预期内存频率范围，前提是您的主板和颗粒达标:

Ryzen 预期有效速度（MT/s）

1000 3000 - 3600

2000 3400 - 3800¹

3000 3600 - 3800 (1:1 MCLK:FCLK)
3800+ (2:1 MCLK:FCLK)
- 如果使用更多的 DIMM 和/或双面 DIMM ，则预期频率可能会更低。
- ¹3600+ 通常在 1 个 DIMM 每通道（DPC）/ 仅有 2 个 DIMM 插槽的主板并且 IMC 体质非常好时才能达成。
  - 请参阅此处。
- ¹DDR4-3400 - DDR4-3533 是多数表现（如果不是全部的话）Ryzen 2000 IMC 应该能够达到的。
  
  在测试的样品中，可达到的最大内存频率分布如下： DDR4-3400 = 12.5% 的样本 DDR4-3466 = 25.0% 的样本 DDR4-3533 = 62.5% 的样本 ~ The Stilt
- 2 个 CCD Ryzen 3000 CPU （3900X 和 3950X）似乎更适合 4 根单面内存而不是 2 根双面内存。
  
  对于 2 个 CCD SKUs，2 DPC SR 的配置似乎是正确的方向。 3600 和 3700X 在 1 个 DPC DR 配置上都做到了 1800MHz 的 UCLK，但很可能由于 3900X 的两个 CCD 的差异，它在这些 DIMM 上几乎没有做到 1733MHz。
  同时，在 2 DPC SR 配置下，达到 1866 MHz FCLK/UCLK 没有问题。 ~ The Stilt
tRCD 被分为 tRCDRD (read) 和 tRCDWR (write)。通常情况下，tRCDWR 可以比 tRCDRD 更低，但我没有发现降低 tRCDWR 会带来任何性能提升。最好保持二者一致。

Ryzen	预期有效速度（MT/s）
1000	3000 - 3600
2000	3400 - 3800¹
3000	3600 - 3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

Geardown 模式（GDM）在 DDR4-2666 以上自动启用，强制使用偶数 tCL、tCWL、tRTP、tWR 和 CR 1T。如果你想运行奇数的 tCL，请禁用 GDM。如果不稳定，可以尝试运行 CR 2T，但这可能会抵消掉 tCL 的性能增益，甚至可能比启用 GDM 更不稳定。

例如，如果您尝试在启用 GDM 的情况下运行 DDR4-3000 CL15，则 CL 将被提升至 16。

在性能方面：禁用 GDM CR 1T > 启用 GDM CR 1T > 禁用 GDM CR 2T。

勘误

实际 GDM 开启 ≈2.5T, 实测效能 GDM disabled CR 1T> GDM disabled CR 2T> GDM enabled CR 1T。GDM disabled CR 2T 相比 GDMenabled CR 1T 需要的电压更高, 需要的时序更宽松。这个我实测过, 你也可以多测几次观察一下。 而且 GDM 开启之后有一大弊端, 只能使用偶数 tCL,无法开启奇数 tCL, 比如你设 15 或者 17,实际跑的却是 16 或者 18。所以无论如何 GDM 能关则关，哪怕用 GDM Disable 2T 也比开 GDM 强，实在稳不了再开。[来源](https://www.chiphell.com/thread-2112162-1-1.html)

在单 CCD Ryzen 3000 CPU（CPU 低于 3900X）上，写入带宽减半。

在内存带宽上，我们看到了 3700X 的写入速度有些奇怪，这是因为 CDD 到 IOD 的连接，在 3700X 上的写入速度为 16B/周期，但在 3900X 上是其两倍。AMD 表示这样做可以节省功耗，这是 AMD 旨在实现较低 TDP 的一部分原因。AMD 表示应用程序很少进行纯写入操作，但在我们的某个基准测试中，这确实影响了 3700X 的性能，详细信息请参考下一页。 TweakTown
预期内存延迟范围：

Ryzen 延迟（ns）

1000 65 - 75

2000 60 - 70

3000 65 - 75 (1:1 MCLK:FCLK)
75+ (2:1 MCLK:FCLK)
在 Ryzen 3000 和 5000 上，足够高的 FCLK 可以克服 MCLK 和 FCLK 异步的带来的损耗，前提是您可以将 UCLK 锁定到 MCLK。
- （感谢：Buildzoid)

Ryzen	延迟（ns）
1000	65 - 75
2000	60 - 70
3000	65 - 75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

超频

免责声明：体质等不确定因素会影响您的超频潜力，因此可能与我的建议有些偏差。
警告：超频内存时是可能发生数据损坏的。建议经常运行sfc /scannow，以确保任何损坏的系统文件被修复。
超锁过程非常简单，可以归结为 3 个步骤：
- 设置非常宽松（较高）的时序。
- 增加 DRAM 频率直到不稳定。
- 收紧（降低）时序。

查找最大频率

- 确保你的内存条在推荐的 DIMM 插槽中（通常是 2 和 4 ）。
- 确保在调整内存时禁用 CPU 超频，因为不稳定的 CPU 会导致内存错误。同样，当抬高频率收紧时序时，你的 CPU 可能会变得不稳定，可能需要重新进行调整。
- 确保你的 UEFI/BIOS 是最新的
在 Intel 上，从 1.15V VCCSA 和 VCCIO 开始。
在 AMD 上，从 1.10 V SOC、0.95 VDDP、0.95 VDDG CCD 和 1.05 VDDG IOD 开始。
- 根据制造商的不同，SOC 电压的命名可能不同。
  - 华擎：CPU VDDCR_SOC 电压。如果您找不到，您可以使用隐藏在 AMD CBS 菜单中的 SOC Overclock VID 。
    - VID values。
  - 华硕：VDDCR SOC。
  - 技不如人：（Dynamic¹） Vcore SOC。
    - ¹请注意，dynamic Vcore SOC 是偏移电压。因此，当增加 DRAM 的频率时，基准电压可以自动改变。例如，DDR4-3000 的 +0.100V 可能导致 1.10V 的实际电压，但 DDR4-3400 的 +0.100V 可能导致 1.20V 的实际电压。
  - 微星：CPU NB/SOC。
将 DRAM 电压设置为 1.40V。如果您使用的颗粒在 1.35V 以上 Roll over ，请设置 1.35V。
- “Roll over"意味着当你增加电压时颗粒变得更加不稳定，有时甚至达不到标称数据。
- 已知在 1.35V 以上 roll over 的颗粒包括但不限于：8Gb Samsung C-die, 旧款 Micron/SpecTek 颗粒(M8E 之前的版本)。
- 要想知道你的 IC 应该使用什么电压，请参考推荐日常最高电压。
将主要时序设置为 16-20-20-40 （tCL-tRCD-tRP-tRAS）及 tCWL 至 16。
- 大多数颗粒需要松散的 tRCD 和/或 tRP，因此建议设置为 20 。
- 有关这些时序的更多信息，请参阅此帖子。
增大 DRAM 频率，直到它不再引导 Windows 。请记住上面达到的最大频率。
- 如果您在 Intel ，了解您是否不稳定的快速方法是检查 RTLs 和 IOLs。每组 RTLs 和 IOLs 对应于一个通道。在每个组中，有 2 个值对应于每个 DIMM. Asrock Timing Configurator:
根据你的情况，你需要查看每组 RTLs 和 IOLs 中的 D1 值。 RTLs 之间的差距不应超过 2，而 IOLs 之间的差距不应超过 1。在你的情况下，RTLs 值分别为 53 和 55，相差恰好为 2，而 IOLs 值都为 7。请注意，RTLs 和 IOLs 在这些范围内并不意味着你稳定。
- 如果你使用的是 Ryzen 3000 或 5000 系列的 CPU，请确保 Infinity Fabric 内部总线频率（FCLK）设置为你的有效 DRAM 频率的一半。通过确认 FCLK 与 UCLK 和 MCLK 匹配来在 ZenTimings 中确认这一点。
运行您选择的内存烤机程序。
- Windows 将使用 ~2000MB，请确保在测试内存数量时将此考虑在内。我有 16GB 的 RAM，通常测试 14000MB。
- 最低推荐烤机时常：
  - 对于 AMD，同时运行 Prime95 Large FFT 和 OCCT VRAM 100%，以测试 FCLK 并确保 FCLK 的稳定性。在任意频率/FCLK 更改之后都应该运行。
  - MemTestHelper (HCI MemTest): 每个线程 20％。
  - Karhu RAMTest： 5000%。
    - 在高级选项卡中，确保将 CPU 缓存设置为启用。这将使测试速度提高约 20％。
    - 测试的覆盖率为 6400%，持续时间为 1 小时，误差覆盖率分别为 99.41%和 98.43%（来源-常见问题）。
  - TM5 anta777 Extreme: 3 cycles。
    - 测试时长随内存容量而变化。对于 16GB RAM，通常需要 1.5-2 小时。如果您运行 32GB RAM，您可以将配置的第 12 行 (Time (%)) 设置为一半，这样运测试时长就大致与 16GB 相同了。
  - OCCT Memory：SSE 和 AVX 各 30 分钟。
  - 你可以使用更多的测试以确保稳定性。建议运行各种测试以获得最大的检测覆盖率。
如果出现崩溃/冻结/蓝屏错误或错误提示，请降低 DRAM 频率一档并再次进行测试。
将超频配置文件保存在 UEFI 中。
烧机测试通过后，你可以尝试提高频率或者选择调整时序。
- 请记住上面的频率极限。如果您的颗粒和/或 IMC 体质一般，最好只是缩短时序。

尝试更高的频率

如果您不受主板，颗粒和 IMC 的限制，则此部分适用。本部分不适用于那些无法将频率稳定在预期范围内的人。
- 请注意，一些主板具有自动规则，可能会限制你的进展，例如 tCWL = tCL - 1，这可能导致 tCWL 值不均匀。阅读Miscellaneous Tips可能会让您深入了解您的特定平台和主板功能。

Intel ：
- 将 VCCSA 和 VCCIO 提高到 1.25V。对于 ADL 来说，VCCIO 并不存在。注意，如果你有一个 Alder Lake 非 K SKU，VCCSA 将被锁定，你的超频潜力将受到限制。
- 如果未将命令速率（CR）设置为 2T，则将其设置为 2T。
- 将 tCCDL 设置为 8。华硕 UEFI 不公开此时序。
Ryzen 3000/5000:
- 异步的 MCLK 和 FCLK 会导致巨大的延迟损失，因此最好收紧时序以使 MCLK：FCLK 保持 1：1。有关更多信息，请参阅AMD - AM4。
- 否则，请将 FCLK 设置为稳定的值（如果不确定，请设置为 1600MHz）。
将第一时序放宽到 18-22-22-42，tCWL 到 18。
如果对颗粒是安全电压，请将 DRAM 电压提高到 1.45v。详见推荐日常最高电压。
将 SOC 电压提高到 1.125V，VDDP 电压提高到 1.00V，VDDG CCD 提高到 1.00V。
按照步骤查找最大频率中的 5-7 步。
完成后进行下一步收紧时序。

收紧时序

每次更改后，务必运行内存测试和基准测试，以确保性能在改进。
- 我建议运行基准测试 3 到 5 次并取平均值，因为内存基准测试可能会有一些误差。
- 理论最大带宽（MB/s） = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio
  - Transfers per clock 是指在一个完整的内存时钟周期内可以发生的数据传输次数。这在 DDR 内存上每个周期在上升和下降时钟沿发生两次。
  - Actual Clock 是内存的的真实频率，只需用 MHz 做单位。这通常通过 CPU-Z 等程序显示真正的内存频率。
  - 通道计数是活跃在您的 CPU 上的内存通道数。
  - 总线宽度是每个内存通道的宽度，以 bits 为单位。自 DDR1 以来，是 64 bits。
  - Bits 对 Byte 是恒定的 1/8 或 0.125
  有效内存速度（MT/s）最大双通道带宽（MB/s）
  
  3000 48000
  
  3200 51200
  
  3400 54440
  
  3466 55456
  
  3600 57600
  
  3733 59728
  
  3800 60800
  
  4000 64000
  - 您的读写带宽应为理论最大带宽的 90% - 98%。
    - 在单个 CCD Ryzen 3000 CPU 上，写带宽应为理论最大带宽一半的 90％-98％。可能达到理论最大写带宽的一半。请参阅此处。
    - 理论上最大带宽的百分比与大多数内存时序成反比。一般来说，随着内存时序的收紧，此值将增加。

有效内存速度（MT/s）	最大双通道带宽（MB/s）
3000	48000
3200	51200
3400	54440
3466	55456
3600	57600
3733	59728
3800	60800
4000	64000

我建议先收紧一些次要时序，因为它们可以加快内存测试的速度。
我的建议:

时序安全严格极限

tRRDS/tRRDL/tFAW 6/6/24 4/6/16 4/4/16

tWR tRTP¹ 20 10 16 8 12 6
- 降低 tFAW 对内存性能产生影响的最小值是tRRDS * 4或tRRDL * 4,以最小值为准。
- 你不一定要在一个预设下运行所有的时序。例如，你可能只能启用严格下的 tRRDS tRRDL tFAW，但你可能可以启用极限下的 tWR。
- 在一些英特尔主板上，UEFI 中的 tWR 不起任何作用，而是需要通过 tWRPRE（有时是 tWRPDEN）来控制。将 tWRPRE 降低 1 将使 tWR 降低 1，遵循规则 tWR=tWRPRE-tCWL-4。
- 根据 Micron DDR4 数据手册，¹tWR 是 2*tRTP。这个关系在 JEDEC DDR4 数据手册中也有说明。
- 感谢 junkmann 提供该图
接下来是 tRFC 。8Gb 颗粒的默认值为 350 ns（注意单位）。
- 注意：过多压低 tRFC 可能导致系统冻结/锁定。
- tRFC 是 DRAM 电容器"充电"或刷新的周期数。由于电容器电荷损失与温度成正比，因此在较高温度下运行的内存可能需要大幅提高 tRFC 值。
- 要转换为 ns：2000 * timing / ddr_freq
  例如， tRFC 250 的 DDR4-3200 是 2000 * 250 / 3200 = 156.25ns
- 要从 ns 转换（这是您在 UEFI 中输入的内容）：ns * ddr_freq / 2000 例如，180ns 的 DDR4-3600 是180 * 3600 / 2000 = 324，因此您会在 UEFI 中键入 324
- 以下是常见 IC 的典型 ns 中的 tRFC：
  
  颗粒 trfc （ns）
  
  S8B 120 - 180
  
  N8B 150 - 170
  
  H8D 240 - 260
  
  H8A, H8C 260 - 280
  
  M8E, M16B 280 - 310
  
  S8C 300 - 340
- 对于所有其他颗粒，我建议进行二分法，以查找最低稳定的 tRFC。
  例如，假设您的 tRFC 是 630。下一个 tRFC 你应该尝试是其中的一半（315）。如果这是不稳定的，你知道了最低 tRFC 是介于 315 和 630 之间，所以你尝试中点（(315 + 630) / 2 = 472.5, round down to 472)）。如果这是稳定的，那么最低 tRFC 是 315 和 472 之间，以此类推。
- tRFC table by Reous。
以下是我对其余借助者的建议：

时序安全严格极限

tWTRS tWTRL 4 12 4 10 4 8

tCWL¹ tCL tCL - 1 tCL - 2
- 在 Intel 上，应将 tWTRS/L 保留为自动，并分别由 tWRRD_dg/sg 控制。将 tWRRD_dg 减 1 将使 tWTRS 减 1 。与 tWRRD_sg 相同。一旦它们降到最低限度，再手动设置 tWTRS/L。
- 在 Intel 上，更改 tCWL 将影响 tWRRD_dg/sg 进而影响 tWTR_S/L。。如果将 tCWL 降低 1，则需要将 tWRRD_dg/sg 降低 1，以保持相同的 tWTR 值。请注意，这也可能影响 tWR 根据前面描述的关系。
- ¹有些主板与一些特别的 tCWL 值兼容性不是很好。例如，我稳定在 4000 15-19-19 tCWL 14，但在 tCWL 15 甚至没有开机。另一个用户也有类似的经历。有些主板看起来可能很好，但在更高的频率（华硕）有问题。如果 tCL 是偶数，则手动设置 tCWL 等于 tCL，或者如果 tCL 是奇数，则手动设置 tCWL 等于 tCL-1 应该可以缓解这种情况（例如，如果 tCL = 18 尝试 tCWL = 18 或 16，如果 tCL = 17 尝试 tCWL = 16）。
- 在这种情况下，Extreme 预设不是最极限值。tRTP 可以低至 5（Gear Down Mode 下为 6），而 tWTRS/L 可以去低至 1/6。有些主板可以在 tCWL=tCL-6 下工作得很好。请记住，这将增加内存控制器的负载。
- 在 AMD 上，tCWL 通常可以设置为 tCL-2，但已知需要更高的 tWRRD。
现在调整第三组：
- 如果您使用 AMD ，请参阅此帖子。我的建议是：
  
  时序安全严格极限
  
  tRDRDSCL tWRWRSCL 4 4 3 3 2 2
  - 众所周知，很多颗粒在低 SCL 时都有问题。除了三星 8gb B-Die 等颗粒之外， 2 这样的数值对所有其他颗粒都极其困难。这些值不一定相互关联，并且 5 是可以接受的。混合和匹配是可能的，而且通常 tRDRDSCL 要高出 1 甚至 2 。高于 5 的值会极大地损耗带宽，因此不建议。
- 如果您使用的是 Intel ，请一次将第三组调整为一组。我的建议：
  
  时序安全紧极端
  
  tRDRD_sg/dg/dr/dd 8/4/8/8 7/4/7/7 6/4/6/6
  - 有关 tWRRD_sg/dg，请参阅步骤 3。对于 tWRRD_dr/dd，将它们都降减 1，直到您遇到不稳定或性能下降。
  - 对于 tRDWR_sg/dg/dr/dd，将它们全部减 1，直到不稳定为止。通常，您可以全部相同地运行它们，例如 9/9/9/9
    - 设置的太低可能导致系统冻结。
  - 请注意，dr 只影响双面内存，因此，如果您是单面内存，您可以忽略此参数。同样，只有在每个通道运行两个 DIMM 时，才需要考虑 dd。如果你真的想的话，你也可以把它们设置为 0 或 1。
  - 对于双 rank 内存设置：
    - tRDRD_dr/dd 可进一步降低到 5，以获得较大的读取带宽提升。
    - tWRWR_sg 6 尽管稳定，但会导致写入带宽比 tWRWR_sg 7 低。
每次将 tCL 降 1 直到不稳定。
- 在 AMD 上，如果启用 GDM，则每次将 tCL 下降 2。
在 Intel 上，每次将 tRCD 和 tRP 下降 1，直到不稳定。

在 AMD 上，先将 tRCD 下降 1 直到不稳定。再在 tRP 上重复此操作。
- 注意：更低的 tRCD 可能需要增加 IMC 电压才能稳定。
设置tRAS = tRCD(RD) + tRTP，如果不稳定，则增加。
- 这是 tRAS 可以达到的绝对最低值。在这里，您可以看到 tRAS 是 ACT 和 PRE 命令之间的时间。
  - ACT to READ = tRCD
  - READ to PRE = tRTP
  - 因此，tRAS = tRCD + tRTP。
设置tRC = tRP + tRAS。如果不稳定，则增加。
- tRC 仅在 AMD 和某些 Intel UEFI 上提供。
- 在 Intel UEFI 上，tRC 似乎确实受到 tRP 和 tRAS 的影响，即使它被隐藏起来。
  - （1） tRP 19 tRAS 42 - 完全稳定。
  - （2） tRP 19 tRAS 36 - 立即出错。
  - （3） tRP 25 tRAS 36 - 稳定高达 500%。
  - 在（1）和（3）中， trc 是 61，并不完全不稳定。但是，在（2） tRC 是 55 而 RAMTest 立即发现错误。这表明，我的内存可以压低 tRAS，但 tRC 不行。由于 tRC 是隐藏的，所以我需要更高的 tRAS 来获得更高的 tRC 以确保稳定性。
增加 tREFI，直到它不稳定。在此处还应用了在查找最低 tRFC 时解释的二进制搜索方法。另外，以下是我的建议：

时序安全严格极限

tREFI 32768 40000 Max (65535 or 65534)
- 增加太多通常不是个好主意，因为环境温度变化（如冬季到夏季）可能造成不稳定。
- 请记住，以最大值运行 tREFI 可能会损坏文件，因此请谨慎行事。
最后 CR
AMD：
- 禁用 GDM 的同时保持 CR 1 可能很难稳定运行，但如果您已经深入了解并取得了进展，那么这值得一试。
- 如果你不做任何更改就可以禁用 GDM 并保持 CR 1 稳定，那么你可以略过这一节。
- 随着频率的增加，CR 1 的运行明显变得困难。通常，使用 CR 2 有助于实现更高的频率。
- 在 AMD 平台上，Gear Down Mode 会覆盖 Command Rate。因此，禁用 Gear Down Mode 并设置 CR 2 可能对整体稳定性有益。
  1. 一种可能性是将 DRAM 驱动强度(DRAM Drive Strength)设置为 60-20-20-24，设置时间(Setup Times)设置为 63-63-63。
    - 驱动强度是 ClkDrvstr、AddrCmdDrvStr、CsOdtDrvStr 和 CkeDrvStr。
    - 设置时间是 AddrCmdSetup、CsOdtSetup 和 CkeSetup。
  2. 如果无法运行，请调整设置时间，直到您可以运行（您应该一起调整它们）。
  3. 进行内存烤机。
  4. 不稳定时调整设置时间，然后是驱动强度。
  - 这是我关闭 GDM 并设置 CR 1 后的稳定设置。
  1. 通常情况下，超过 24 欧姆的驱动强度可能会损害稳定性。此外，很少需要运行非零调整时间，可能有助于 CR 1 的稳定。
  Intel:
  - 如果低于 DDR4-4400，请尝试将 CR 设置为 1T。如果无法工作，请在 CR 上保持 2T。
  - 在华硕 Maximus 板上，启用 Trace Centering 可有助于在 CR 1T 推高频率。
您还可以增加 DRAM 电压，以进一步降低时序。牢记电压缩放和推荐日常最高电压

时序	安全	严格	极限
tRRDS/tRRDL/tFAW	6/6/24	4/6/16	4/4/16
tWR tRTP¹	20 10	16 8	12 6

颗粒	trfc （ns）
S8B	120 - 180
N8B	150 - 170
H8D	240 - 260
H8A, H8C	260 - 280
M8E, M16B	280 - 310
S8C	300 - 340

时序	安全	严格	极限
tWTRS tWTRL	4 12	4 10	4 8
tCWL¹	tCL	tCL - 1	tCL - 2

时序	安全	严格	极限
tRDRDSCL tWRWRSCL	4 4	3 3	2 2

时序	安全	紧	极端
tRDRD_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6

时序	安全	严格	极限
tREFI	32768	40000	Max (65535 or 65534)

杂项提示

通常，DRAM 频率增加 200MHz 可以消除将 tCL，tRCD 和 tRP 增加 1 的带来的延迟，而且具有更高带宽的。
例如，3000 15-17-17 具有与 3200 16-18-18 相同的延迟，但是 3200 16-18-18 具有更高的带宽。这通常是在初始调整完成后而不是在 XMP 模式下实现的。
一般来说，只要性能不受 FCLK 同步、CR 或 Gear 的负面影响，频率应优先于更低的时序。
第二和第三时序（ tRFC 除外）在整个频率范围内并没有太大变化。如果您在 3200MHz 上具有稳定的第二和第三时序，则只要颗粒，IMC 和主板足够强，它们就可以在 3600MHz 甚至 4000MHz 下运行。

Intel

将 tCCDL 下放到 8 可能有助于提高稳定性，尤其是在 3600MHz 以上时。这不会对延迟造成重大影响，但可能会对内存读写带宽产生较大的影响。
较高的缓存（也称为非核心，ring）频率可以增加带宽并减少延迟。
在完成时序的收紧后，您可以增加 IOL 偏移以减少 IOLs。请务必在之后运行内存测试。更多信息在这里。
- 一般，RTL 和 IOL 值会影响内存性能。降低它们将增加带宽，并显著减少延迟。
- 在某些情况下，较低的值也有助于增强稳定行并降低 IMC 对电压的要求。有些主板自己调整得很好。而有些主板则允许用户进行简单的调整，而另一些主板则完全忽略用户的输入。
- 如果一切尝试都失败了，你可以尝试手动降低 RTL 和 IOL 值。
对于华硕 Maximus 主板：
- 尝试使用不同的 Maximus Tweak Modes；有时，其中一个模式可以成功启动而另一个则不能。
- 可以在内存训练算法中启用往返延迟（Round Trip Latency），让主板尝试训练 RTL 和 IOL 值。
- 如果无法启动，可以尝试调整偏移控制值。更多信息在这里。
tXP（以及随后的 PPD）对 AIDA64 内存延迟有重大影响。
Rtt Wr，Park 和 Nom 可以对超频产生巨大的影响。理想的值可能取决于您的主板、内存颗粒和密度。“optimal"将允许您以更低的内存控制器电压获得更高的频率。有些主板显示 auto（微星），而另一些板则不显示（华硕）。找到完美的组合是耗时的，但对于进阶设置非常有帮助。
在某些主板上，启用 XMP 可以实现更佳的超频。
- 感谢 Bored 和 Muren 在他们的华擎主板上发现并验证了这一点。

AMD

如果无法启动，请尝试调节 ProcODT。根据美光的说法，较高的 ProcODT 设置可以使内存更加稳定，但代价可能是需要更高的电压。在 Ryzen 1000 和 2000 上，由于内存控制器较差，您应该尝试 40Ω 到 68.6Ω 之间的值。在 Ryzen 3000 和 5000 上，1usmus建议 28Ω - 40Ω 。较低的设置可能更难运行，但可能有助于满足电压要求。更高的值可能有助于提升稳定性，不过根据美光的说法，高于 60Ω 的 ODT 值仅适用于极弱的内存控制器和更低的功率解决方案。这似乎与The Stilt的设置相吻合。

除了华硕为 Optimem III 制定的自动规则为 ProcODT 40.0Ohm 外，其余均为 AGESA 默认值。
较低的 SOC 电压和/或 VDDG IOD 可能有助于稳定。

疑点

CHH 论坛里有人求证过林大，可能是作者的认知错误，正常来说较高的电压有助于提高稳定性。目前只出现过华硕主板从自动电压降低电压提高稳定性，可能是华硕自动电压给的过高
在 Ryzen3000 上，较高的 CLDO_VDDP 有助于提高 3600MHz 以上的稳定性。

增大 cLDO_VDDP 在高于 3600MHz MEMCLK 似乎是有用的，因为增大 cLDO_VDDP 似乎可以改善，从而有助于解决潜在的问题。

资料来源：The Stilt。

对 VDDP 进行微小的更改可能会产生很大的影响，但 VDDP 不能设置为大于 VDIMM-0.1V 的值（不超过 1.05V）。

资料来源：AMD
当提高 FCLK 至大约 1800MHz 内存烤机错误可以通过增高 VDDG CCD 来缓解或完全消除。

DDR4内存超频教程

准备

内存测试软件

不推荐

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比较

时序软件

基准测试

通用内存信息

频率和时序的关系

第一、第二和第三时序

期望/限制

主板

颗粒（IC）

指代符号

Thaiphoon

内存上的标签

海盗船编号

芝奇 042 编号

金士顿编号

关于颗粒和内存容量的注意事项

电压缩放

最大预期频率

分级

推荐日常最高电压

排名

温度及其对稳定性的影响

内存控制器 （IMC）

Intel IMC

AMD IMC

超频

查找最大频率

尝试更高的频率

收紧时序

杂项提示

Intel

AMD

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基准

信息

内存控制器（IMC）